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基于MEMS技术的离子门设计与制备
1
作者
任家纬
贾建
+1 位作者
高晓光
何秀丽
《微纳电子技术》
CAS
2024年第10期134-140,共7页
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子...
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子团在漂移管中的运动情况。根据理论分析和有限元数值仿真研究了BN离子门电极丝参数对离子迁移谱仪性能的影响,并确定参数的优化值为:电极丝间距200μm、直径20μm。最后根据工艺条件设计了适用于小型离子迁移谱仪的MEMS离子门,并绘制了相应的掩模版图形。在此基础上详细阐述了采用剥离工艺和深反应离子刻蚀(DRIE)工艺基于4英寸(1英寸=2.54cm)绝缘体上硅(SOI)晶片制备MEMS离子门器件的方法,对比了样品电极丝参数的设计值和测量值,并验证器件的平整度。
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关键词
离子门
微电子机械系统(MEMS)
离子迁移谱
有限元仿真
深反应离子刻蚀
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职称材料
题名
基于MEMS技术的离子门设计与制备
1
作者
任家纬
贾建
高晓光
何秀丽
机构
中国科学院空天信息创新研究院传感技术国家重点实验室
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第10期134-140,共7页
基金
国家重点研发计划(2022YFF0708200)。
文摘
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子团在漂移管中的运动情况。根据理论分析和有限元数值仿真研究了BN离子门电极丝参数对离子迁移谱仪性能的影响,并确定参数的优化值为:电极丝间距200μm、直径20μm。最后根据工艺条件设计了适用于小型离子迁移谱仪的MEMS离子门,并绘制了相应的掩模版图形。在此基础上详细阐述了采用剥离工艺和深反应离子刻蚀(DRIE)工艺基于4英寸(1英寸=2.54cm)绝缘体上硅(SOI)晶片制备MEMS离子门器件的方法,对比了样品电极丝参数的设计值和测量值,并验证器件的平整度。
关键词
离子门
微电子机械系统(MEMS)
离子迁移谱
有限元仿真
深反应离子刻蚀
Keywords
ion gate
micro-electromechanical system(MEMS)
ion mobility spectrometry
finite element simulation
deep reactive ion etching(DRIE)
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
基于MEMS技术的离子门设计与制备
任家纬
贾建
高晓光
何秀丽
《微纳电子技术》
CAS
2024
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