单电子器件——21世纪电子器件的候选者

1996年11月4日至7日,在日本札幌市召开了"量子点结构的制备和物理及其器件应用"国际会议,约120人与会。共交流论文104篇,其中邀请报告16篇,口头报告5篇。本人在会上作了题为"全对称半导体量子点的临界尺寸"的报告。对极小尺寸下半导体量子点中量子态的行为提出了全新的看法。会议围绕着"单电子器件"这个被认为是21世纪电子器件最可能的候选者的议题进行。众所周知。现在信息处理的基本工具是计算机。计算机的主要部件——超大规模集成电路的工艺发展非常快,每年都以更高的集成度和更快的运算速度更新,但现有的超大规模集成电路的元件小到一定限度,再提高集成度就会有难以克服的困难。

GaP中替代缺陷对的A_1对称性深能级波函数

本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(on site)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。

THEORY OF THE <100> UNIAXIAL STRESS DEPENDENCE OF THE DEEP LEVELS IN Gap and GaAs

We extend previous theoretical work to predict the derivatives with respect to the<100>uniaxial stress of the substitutional deep point defect energy levels in Gap and GaAs which,for a defect at a specific site producing a level of particular symmetry,can be evaluated as a function of their energy levels in the band gap.

有限晶体中的电子态

传统的固体物理中的电子态的理论实质上是无限晶体中的电子态的理论 .但是任何真实晶体的尺寸都是有限的 .文章简单介绍了作者最近提出的有限晶体中的电子态的理论的一些背景材料和主要的新结果 .

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。

硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算

利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.

一个关于固体物理学基础的新理论——纪念黄昆先生诞辰100周年

晶体中的电子态的理论是固体物理学的重要基础。传统的固体物理学的晶体中的电子态的理论实质上是一个无限晶体中的电子态的理论,但是任何真实晶体的尺寸都是有限的。在黄昆先生学术思想的引领下,借助于有关数学定理,作者提出了一个理想低维系统和有限晶体中的电子态的新理论,得到许多与固体物理学界传统看法非常不同的新结论,本文介绍新理论的有关背景和主要新成果,将有关专著的新版献给黄昆先生和谢希德先生这两位中国固体物理学的奠基人。