ZnSeTe薄膜的分子束外延生长

研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌矿晶体结构。在450和550℃氮气氛保护下对Zn Se0.70Te0.30样品做了快速热退火处理,退火后发现其晶体质量和表面形貌都得到了明显改善：双晶X射线摇摆曲线（DCXRC）（004）衍射峰的半峰宽（FWHM）从0.707 7°降低至0.571 9°,表面均方根粗糙度从2.44 nm降低至1.34 nm。采用点In电极做室温Hall测试的结果显示,本征ZnSeTe薄膜表面In电极之间的电阻值很高,外延薄膜呈现载流子浓度很低的高阻状态。

Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状

相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金单晶薄膜的研究现状,分析了MBE生长三元合金时需要考虑的问题,介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料n/p型掺杂的常用元素和掺杂方式,讨论了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效掺杂的物理机制和三元合金在掺杂方面的研究动态,并对三元合金薄膜的发展前景进行了展望。

Ti_(45)Zr_(35)Ni_(17)Cu_3准晶电极的电化学性能

Ti基准晶由于其特殊的晶体结构而成为具有前途的新型贮氢材料。Ti45Zr38Ni17准晶最大吸氢量时,氢原子与金属原子比约等于2,明显高于普通金属间化合物贮氢材料,但其平台压力低,氢很难放出。为了改善准晶的气态放氢性能,Takasaki等采用机械合金化及热处理的方法制备了Ti45Zr38Ni17准晶粉末。该粉末达到最大贮氢量时,氢原子与金属原子比等于1.5,这可能是由于准晶中含有少量的Ti2Ni型晶体相的原因。同时,在充放氢过程中,准晶相不稳定。Majzoub等采用电化学方法氢化Ti45Zr38Ni17准晶,贮氢量最大时氢原子与金属原子比为1.9,并且在充氢过程中无晶体相生成。到目前为止,准晶作为镍氢电池负极材料的电化学贮氢性能的研究未见报道。在本章中,将研究Ti45Zr38Ni17Cu3准晶作为镍氢电池负极时的最大放电容量和循环稳定性。为了对比,也研究了非晶合金的相关电化学性能。