MoCVD生长重掺碳GaAs

以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10^(20)/cm^3,相应的迁移率为37cm^2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。

MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究

研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。

变电站高频局部放电白噪声在线识别方法

提出变电站高频局部放电白噪声在线识别方法。仿真试验结果表明,识别准确率在85%以上,具有良好的应用性能,对于变电站局部放电定位具有一定参考价值。

主变压器室泄压计算模型探讨

文章旨在研究一种适用于变电站主变压器室的泄压计算模型。通过对油浸式主变压器爆炸发生机理进行分析,发现采用现有计算模型进行泄压计算并不合理。研究显示,锅炉爆炸发生机理与油浸式变压器爆炸发生机理类似.因此将锅炉房的泄压计算模型引入到变压器室的泄压计算中,得出一种新型的、合理的变压器室泄压计算模型。

多分裂导线屏蔽效应风洞试验评估

与单根导线相比,多分裂导线特殊的导线布置方式使得各导线之间存在屏蔽效应。为了研究屏蔽效应的大小随风攻角、导线分裂数、导线直径的变化,在风洞中测试了不同直径的4、6、8分裂导线在不同风攻角下的整体阻力系数,并且以其较相应单根导线阻力系数的降低幅度作为参考值,评估了屏蔽效应的大小。试验结果发现:多分裂导线具有明显的屏蔽效应;屏蔽效应随着风攻角的不同产生显著变化;屏蔽效应随着导线分裂数的增多,直径的增大而趋于稳定;大直径多分裂导线的屏蔽效应可使导线的整体阻力系数降低10%以上,规范中可以考虑多分裂大直径导线稳定的屏蔽效应对于降低风荷载的有利影响。

MOCVD生长GaAs/Si材料及其在MESFET中的应用

本文研究了MOCVD生长GaAs/Si复合材料的生长工艺及材料特性,并生长出用于MESFET的多层结构材料。讨论了影响外延层电阻率的因素,并给出了GaAs/Si材料在MESFET中的应用结果。

MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料

用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容管。