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基于脑电非线性分析观察高频重复经颅磁刺激对卒中后认知功能的影响 被引量:3
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作者 张晶晶 吴玲俐 +3 位作者 程单单 任洁歆 刘靓 李艳 《重庆医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期762-767,共6页
目的:结合脑电非线性分析技术,探讨高频重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)对卒中后认知障碍(post-stroke cognitive impairment,PSCI)患者的临床效果。方法:将40例PSCI患者随机分为rTMS组和对照组,每... 目的:结合脑电非线性分析技术,探讨高频重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)对卒中后认知障碍(post-stroke cognitive impairment,PSCI)患者的临床效果。方法:将40例PSCI患者随机分为rTMS组和对照组,每组20例。2组均给予基础药物及常规康复训练,rTMS组予以5 Hz rTMS,刺激靶点为左侧前额叶背外侧(dorsolateral prefrontal cortex,DLPFC),每日1次,每次20 min,共4周。于治疗前、治疗4周后采用蒙特利尔认知评估量表(Montreal cognitive assessment,MoCA)、Stroop色词测验(Stroop color-word test,SCWT)、连线测验A-B(trail making test,TMT)、P300检测评估患者认知功能,同时于安静闭眼状态下采集脑电信号,通过非线性参数关联维数(correlation dimension,D2)、近似熵(approximate entropy,ApEn)观察区域功能连接变化和其他脑区改变情况。结果:与对照组相比,治疗4周后,rTMS组患者MoCA评分明显增高(P<0.05);SCWT中卡片A耗时、卡片B耗时、干扰量耗时、干扰量正确数均明显下降(P<0.05);TMT中卡片A耗时、卡片B耗时、干扰量耗时明显下降(P<0.05);rTMS组P300潜伏期明显缩短(P<0.05);rTMS组D2值、ApEn值明显增加(P<0.05);rTMS组D2值在F4、O1、F8导联与对照组相比无统计学差异(P=0.074、0.179、0.120),其余导联均有统计学差异(P<0.05),ApEn值在FP1、FP2、F3、C4、P4、O2、F7、T3导联与对照组相比有统计学差异(P<0.05)。结论:高频rTMS治疗可有效改善PSCI患者认知功能,并影响局部神经环路,代偿认知功能。 展开更多
关键词 卒中后认知功能障碍 重复经颅磁刺激 脑电图 非线性分析
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