铜镍合金为衬底化学气相沉积法制备石墨烯研究

利用磁控双靶共溅射法制备了不同含量的铜镍合金薄膜,利用EDAX对合金薄膜衬底的铜镍配比进行了定量分析。以苯为碳源,选择相同的合金衬底分别在800、600和400℃的温度下使用化学气相沉积法生长石墨烯,对样品进行了拉曼光谱和SEM表征,研究了温度对石墨烯生长的影响。选择不同配比的铜镍合金衬底,在400℃下生长石墨烯,研究了衬底中铜、镍元素不同配比对石墨烯生长的影响。

石墨烯在有机光电器件中的应用研究进展

归纳了石墨烯的基本性质及常用的几种基本制备方法,综述了石墨烯在有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二级管(OLED)、有机太阳能电池(OSC)等有机光电器件领域的应用研究现状,展望了石墨烯在有机光电器件领域未来的发展前景。