真空和大气退火对 ITO 膜特性的影响

ＩＴＯ膜主要受溅射过程中溅射参数的影响．本文分析和验证真空和大气退火也改善和提高ＩＴＯ的特性，根据我们的实验条件，本文主要研究退火工艺对ＩＴＯ膜的面电阻、可见光透过率、热稳定性及晶向结构等特性的影响．

铁氧体磁芯的磁控溅射金属化工艺的研究

铁氧体贴片电感要求金属化薄膜具有高的抗拉强度和高温焊接性,传统金属化工艺不能满足要求.本文采用磁控溅射技术对铁氧体电感磁芯进行金属化,研究了不同金属膜系以及不同工艺对薄膜抗拉强度和高温焊接性能的影响,结果表明:磁控溅射金属化在抗拉强度及耐焊性方面明显优于电镀和蒸发,结合强度高达70N以上.推荐膜层结构是Cr/NiCu/Ag,其中NiCu厚度150～200 nm较宜.金属化膜焊接情况较符合凝固模型,金属间化合物会降低焊接性和抗拉强度,但是可以起到阻挡作用.更好的相结构是形成固溶体组织,并设计膜层结构来防止反浸蚀.该技术已经成功应用于国内最大铁氧体贴片电感厂的规模化生产中.

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。

晶振电极激光减薄调频技术的研究

石英晶振的谐振频率在出厂前都需要进行微调,使之达到需要的标称值。本文提出激光调频的新技术,利用适当激光能量使电极膜层汽化减薄,从而使晶振的频率精确升高到预期值,重点研究了激光器的工作电流和Q脉冲宽度等参数对晶振频率微调的影响。实验结果表明:当工作电流太小(<10A)或Q脉冲宽度太大(>10μs)时,激光脉冲的峰值能量密度太小不足以有效实现频率微调;当工作电流和Q脉冲宽度比较合适(电流约为11A,Q脉冲宽度为4～10μs)时,石英晶振的谐振频率可以被线性地调节,此时对晶振其它电性能参数影响很小;当工作电流过大(>11A)或Q脉冲宽度过小(<4μs)时,激光脉冲能量密度过大,很容易对电极膜造成损伤而导致不能起振。

光谱法控制ITO膜沉积速率

用磁控反应溅射方法制备ITO膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光.报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法。

氧化铝陶瓷金属化技术的研究进展

综述了Al2O3陶瓷金属化技术的国内外研究现状与进展,简要介绍了目前主要应用的几种金属化方法,并着重分析了真空溅射镀膜金属化技术中薄膜材料、膜层厚度以及工艺参数对金属化质量的影响。

光谱法控制溅射速率的研究

在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方法在实际应用中的具体过程。

氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响

研究了磁控溅射法制备得到的MIM结构ZrSiO薄膜电容,ZrSiO薄膜的制备以沉积时和沉积后退火过程中的氧气流量为主要工艺参数,重点讨论了由不同工艺条件导致的不同氧空位密度对漏电特性和电容-电压非线性等电学性能的影响.

电磁屏蔽层设计及其磁控溅射制备的研究

通过传输线模型推导出多层无限大平板的屏蔽效能的计算公式,并根据公式设计了双层屏蔽层,通过多靶直流溅射制备了多种金属屏蔽膜.研究结果表明:衰减损耗是各层屏蔽效果线性相加的结果,反射损耗与各层相对位置关系无关,层数多或各屏蔽层的反射越大,则屏蔽效果越好.采用Cu/1Cr18Ni9Ti的金属屏蔽层结构,可获得良好的屏蔽效能及耐候性,单纯用表面阻抗来评估多层金属膜的电磁屏蔽效果并不合适.

光谱法在线控制ITO膜的制备

ＩＴＯ膜的特性受到溅射过程中很多因素的影响，但是实验证明ＩＴＯ膜的沉积速率与溅射过程中等离子体的特征光谱强度及此时靶电流比值成正比。本文提出了用光谱法在线控制ＩＴＯ透明导电膜的制备过程、实验结果。

基于氩等离子处理的阻变氧空位调控探讨

以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性。等离子处理范围减小和处理时间延长有助于阻变特性的稳定,以及阻变工作电压的降低。为了降低阻变工作电压及抑制随机性,最终确定的等离子处理条件是时间不超过45min,处理范围介于0.8mm×0.8mm和0.9mm×0.9mm之间。主要的阻变工作电压均在3V以下,适合低功耗器件应用。并结合处理条件和表面粗糙度等测试结果进行了讨论。

氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响

探讨了氧气等离子处理法对基于Zr Al O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。Zr Al O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行Zr Al O薄膜的氧气等离子处理。氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态。通过分析受氧空位影响的电容电学性能,最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上,同时非线性电压系数减小约60%。

在塑料表面用磁控溅射制备电磁屏蔽膜的研究

随着电磁污染的日益严重以及塑料在电子产品封装上的广泛应用,对电子产品进行电磁屏蔽设计已成为必然趋势。本文采用磁控溅射的方法在PET塑料基底上沉积多种膜系的金属屏蔽膜层,并对金属膜层的制备工艺进行了研究,最后采用波导法对金属膜层的屏蔽效能进行测试。研究表明,采用Cu/1Cr18Ni9Ti双层金属膜层结构,可以获得良好的表面性能以及结合力,结合力达到500kPa以上;总厚度仅为764nm的Cu/1Cr18Ni9Ti在2.5GHz时可获得60dB以上的屏蔽效能;在总厚度相等的情况下,双面金属层比单面金属层具有更高的效果。

PZT高频陶瓷表面金属化薄膜及其结构

采用磁控溅射与真空蒸发工艺相对比的方法 ,分析了不同金属化薄膜及其结构对薄膜与PZT陶瓷的结合力和器件高频电学性能的影响。实验表明 :Cu Ni+Ag薄膜可以改善陶瓷与金属的结合和减少反浸润发生 ,显著提高结合力 ,从而改善器件的电学性能。分析表明结合力是影响高频压电陶瓷电学性能的一个重要因素 ,实验得到了优化的金属化薄膜成分和结构 ,同时提出了相应的溅射工艺。

关于真空激光减薄薄膜技术的研究

本文提出了一种新颖的可精确、快速、清洁的减薄薄膜的技术——真空激光减薄技术。即指利用激光器发出的脉冲激光束聚焦成直径很小的光斑,调节到适当的能量密度,对真空环境中的薄膜层进行高速扫描,从而减薄膜层。实验中,将此种技术对石英晶片表面膜层进行减薄。根据石英晶振谐振频率与其表面膜层厚度之间的反比关系,来间接测量激光对于石英晶振的膜厚减薄量。实验证实了真空激光减薄方法的可行性。膜层减薄厚度最小可达15.9,对应频率改变量为12Hz,亦即频率改变量可达2ppm以下。减薄速率可达到每秒1～2个石英晶振片。

SiO_2+ITO导电玻璃连续式生产线的计算机监控网络系统

本文在介绍 Si O2 + ITO导电玻璃连续式生产线的系统结构的基础上 ,给出了该生产线基于 PC机的的计算机监控网络系统。该系统为设备提供者、企业管理者、现场操作者提供了一个协调工作的平台。

磁控溅射抗EMI金属膜的研究

首先对金属屏蔽的机理以及Schelkunoff电磁屏蔽理论进行了分析,然后采用磁控溅射的方法在PET塑料上沉积了Cu/1Cr18Ni9Ti,并采用波导的方法对样品的屏蔽效能进行了测试。研究表明:单次反射损耗对屏蔽效能的贡献最大,双面金属膜层比单面金属膜层具有更高的屏蔽效果。

麦棉瓜菜立体种植的产量与效益分析

在六二式麦棉套种的基础上增种一茬冬菠菜和一茬西瓜 ,既可提高土地利用率 ,又充分利用光热资源 ,增加经济效益。根据试验 ,土地利用率 (LER)提高 37.5 % ,光能利用率(E)提高 6 9.7% ,生长季节利用指数 (TUI)提高 5 3 .4% ,单产值增加 1188.0元 / 6 6 7m2 ,比对照提高 6 9.0 %。

腹腔镜下治疗急性化脓性坏疽型胆囊炎的处理思路

1995年7月～2003年10月,共完成腹腔镜胆囊切除术6 751例,其中急性化脓性坏疽型胆囊炎713例,全部在腹腔镜下完成,无一例中转开腹,无手术后并发症.作者认为只要病人全身条件允许,急性化脓性坏疽型胆囊炎可以成为腹腔镜胆囊切除术的适应证,但手术宜72 h内实施.

TiO_(x)薄膜阻变特性的氩等离子处理影响探讨

本文探讨了氩气等离子处理对TiO_(x)薄膜阻变性能的影响,并根据阻变性能的变化,提出了改变等离子处理条件来优化阻变性能的思路。实验显示,随着等离子处理范围的增大,阻变forming-free特征出现的可能性在增大。而处理功率增长的影响主要体现在阻变层中氧空位含量的增加(XPS测定)和等离子处理电流的增大,但在面积较小试样中则逐渐趋于饱和。面积较大试样中没有出现伴随功率增长的饱和趋势,但阻变失效的可能性也同时增大。根据离子电流的测试结果,处理面积变化带来的影响归因于等离子功率的匹配条件不同,并引入了3个小单元并列处理的优化方式。最终结果显示,三单元处理方式在阻变值稳定性、氧空位调整和避免阻变失效等方面有突出的综合优势,有助于阻变性能的进一步提升研究。