基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究

阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。

铁电场效应晶体管的建模与模拟

得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式。基于Pao和Sah双积分且考虑了铁电材料的非饱和极化得到漏极电流的精确模拟,并给出了器件模拟结果。通过对器件的模拟,最后总结了一些提高铁电场效应晶体管性能的规律。

La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响

采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600～650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103V/cm。

快速退火工艺条件下温度对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构与性能的影响

采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能。

铁电存储器及研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器 ,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等。

MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究

为制备符合铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）及铁电存储二极管（ＦＭＤ）要求的高质量铁电薄膜，采用激光脉冲沉积方法（ＰＬＤ）制备了Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 多层结构的两种铁电薄膜系统。分析表明，在不同的电压范围，起主导作用的导电机制不同：电压低于１Ｖ时，漏电流遵循欧姆定律，电压在２．２～３．０Ｖ时，空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）占主导地位。Ｉ－Ｖ 特性曲线的结果表明Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构比Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构的漏电流密度低两个数量级，Ｉ－Ｖ 特性曲线回滞窗口增大０．３Ｖ，这说明ＰＺＴ铁电薄膜与Ｓｉ衬底之间加入ＢＩＴ铁电层有助于降低漏电流密度。

Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅铁电场效应管ID-VG特性双曲模型

在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟。该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响。结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性。

“拍”现象课堂演示实验仪

“拍”现象课堂演示实验仪高文亭任鸣放（桂林电子工业学院，桂林５４１００４）（收稿日期：１９９６－０８－１０）众所周知，振动方向相同，而频率不同的两个简谐振动合成时，如果频率相差不太大，将有“拍”现象发生，即合振动的振幅出现周期性的时而加强、时而减弱现...

基于无线局域网的信号检测算法实现

实现了针对WLAN(IEEE802.11)系统的信号检测算法。根据突发传输的特性,一套简单有效的信号检测算法是硬件实现所必需的。通过分析比较几种信号检测算法,在基于IEEE802.11a帧前的短训练符号和IEEE802.11b的长前导码和短前导码部分做以算法分析,以蒙特卡罗分析结果来评估其效能,选取适合硬件实现算法以FPGA实现。

中药熏洗疗法在肛门疾病中的应用

中药熏洗疗法是药物煎汤,乘热在患部熏蒸、淋洗和浸浴的常用外治方法,在痔瘘专科临床中,采用此法治疗各种肛门疾病,疗效颇佳.

强化生活方式管理对2型糖尿病患者及其高危个体的干预效果研究

目的:探讨强化生活方式管理对2型糖尿病患者及其高危个体的干预效果研究。方法:收治2型糖尿病患者及其高危个体120例,随机分为对照组和干预组,每组60例。干预组给予3个月强化生活方式管理,对照组不给予干预。比较两组体重、腰围、血压、血脂、血糖的变化。结果:两组患者1年前后的腰围、血压、血糖、甘油三酯、总胆固醇比较,差异均有统计学意义(P<0.01)。干预组干预前后腰围、血压、血糖、甘油三酯、总胆固醇比较,差异有统计学意义(P<0.01)。结论:强化生活方式管理能够明显降低2型糖尿病患者及高危个体的体重、腰围、血糖、血压、甘油三酯、总胆固醇,降低高危个体糖尿病的发生率,减少或延缓糖尿病患者并发症的发生和发展,改善患者的健康状况,提高生活质量。

强化生活方式管理对2型糖尿病患者及其高危个体的干预效果研究

目的:探讨强化生活方式管理对2型糖尿病患者及其高危个体的干预效果。方法:收治2型糖尿病患者及其高危个体120例,随机分为对照组和干预组各60例,干预组给予强化生活方式干预管理,对照组给予原本生活方式干预管理,比较两组的干预效果。结果:干预后,在干预组,腰围、血压、血糖、甘油三酯、总胆固醇较干预前差异有统计学意义,且干预组显著优于对照组(P<0.05)。结论:强化生活方式干预能明显降低2型糖尿病患者及高危个体的体重、腰围、血糖、血压、甘油三酯、总胆固醇,降低高危个体糖尿病的发生率,减少或延缓糖尿病患者并发症的发生和发展,改善患者的健康状况,提高生活质量。

Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响.研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性;顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力;器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.

Si基Bi_(3.25)La(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究

采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3·25La0·75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦碌石相或其他杂相,薄膜为多晶生长,具有较好的介电与铁电性能,4V电压下的漏电流密度低于2×10-8A/cm2.随退火温度升高,晶化程度的提升和晶粒尺寸的增大使薄膜的剩余极化增大而矫顽电场降低.600℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜显示了优于Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别达到17·5μC/cm2和102kV/cm.