同步辐射光刻技术研究进展

光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 。

用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .

全新深亚微米X射线T型栅工艺

GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

同步辐射讲座 第五讲 微电子机械系统加工新方法——LIGA技术

简述了微电子机械系统的起源和特点 ,介绍了LIGA技术的基本原理以及一些相关技术 ,对同步辐射深度光刻的技术要求进行了详细地说明 。