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脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果
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作者 伊藤纠次 饶德祥 +1 位作者 田村英男 大久保靖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1981年第3期234-239,共6页
目前,离子注入技术虽已相当广泛地用于半导体器件的科研和生产中,然而离子注入造成的晶格损伤的恢复和注入杂质的高效率激活方法却还留下一些有待研究的课题.其中,脉冲电子束退火就是当前颇受重视的方法之一.
关键词 电子束退火 散射谱 液相外延 激活率 对注 装置
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