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片式ZnO压敏电阻烧端工艺对限制电压比的影响
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作者 唐斌 祝忠勇 +1 位作者 赖扬 伍尚国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期28-29,共2页
通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器限制电压比的影响。结果表明:当烧端温度为850℃,保温时间15min时,产品的限制电压比最小。
关键词 电子技术 片式ZnO压敏电阻器 烧端温度 保温时间 限制电压比 接触电阻
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