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GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
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作者 伍滨和 曹俊诚 夏冠群 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期577-578,共2页
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微... 利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。 展开更多
关键词 双量子阱 子带跃迁 光学吸收
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小型化前倾毫米波双狭缝天线的设计与制作 被引量:2
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作者 周健 赵敏 +2 位作者 孙芸 伍滨和 孙晓玮 《红外》 CAS 2019年第10期20-25,共6页
常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下:频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角... 常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下:频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角为20°~24°,旁瓣抑制度要求大于-10 dB,天线长度小于85 mm,方位角大于80°,俯仰角小于11°,增益大于11 dB。测试结果表明,天线增益为12 dB,在36.85~37.15 GHz条件下,方位角位于116°~134°之间,俯仰角位于8°~9°之间,前倾角在22°~24°之间,旁瓣抑制度位于-11.45^-14.60 dB之间,且波束方向可控。在36.5~37.5 GHz频率范围内,驻波比保持在1.413以下,收发隔离度保持在-51.132以下,天线总长度为83 mm。该天线的测试结果与设计一致,能满足设计要求,为无人机侧向探测器提供天线技术支撑。 展开更多
关键词 缝隙天线 前倾探测 毫米波 小型化
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物理专业课程的导游式教学探索
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作者 陆爱江 杨沁玉 伍滨和 《物理通报》 2019年第7期2-5,共4页
物理专业课程的授课方式需要寻求突破,可以借鉴职业导游的工作模式.教师在课前做好出行准备即教学规划,课堂上引领,包括必要的讲解和启发,让学生融入问题之中,在体验中学习知识,可以有效地提高教学效果.包括对成绩的考评,也要有意识地... 物理专业课程的授课方式需要寻求突破,可以借鉴职业导游的工作模式.教师在课前做好出行准备即教学规划,课堂上引领,包括必要的讲解和启发,让学生融入问题之中,在体验中学习知识,可以有效地提高教学效果.包括对成绩的考评,也要有意识地让学生融入其中,可以在辩论中、在互相补充中加深对知识的理解和记忆.专业课任课教师通过这类教学探索,会有效地提高教学质量,在教学活动中得到学生的肯定.实践表明,导游式教学不失为一个成功的尝试. 展开更多
关键词 导游式教学 物理专业 量子力学 升降算符
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Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析 被引量:3
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作者 赵敏 周健 +1 位作者 孙浩 伍滨和 《电子器件》 CAS 北大核心 2020年第3期477-481,共5页
传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度... 传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律,获得芯片埋置的热学最优化工艺参数。最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好,封装体积仅为20 mm×10 mm×1 mm,可以实现三维堆叠,芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的温度需求。 展开更多
关键词 封装散热 GaAs芯片 Si基埋置型 TSV通孔 热学仿真
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Anomalous Direct-Current Josephson Effect in Semiconductor Nanowire Junctions
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作者 伍滨和 封许昱 +2 位作者 王超 徐晓峰 王春瑞 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期118-122,共5页
We investigate the dc Josephson effect in one-dimensional junctions where a ring conductor is sandwiched between two semiconductor nanowires with proximity-induced superconductivity. Peculiar features of the Josephson... We investigate the dc Josephson effect in one-dimensional junctions where a ring conductor is sandwiched between two semiconductor nanowires with proximity-induced superconductivity. Peculiar features of the Josephson effect arise due to the interplay of spin-orbit interaction and external Zeenmn field. By tuning the Zeeman field orientation, the device can vary from 0 to π junction. Afore importantly, nonzero ,losephson current is possible at zero phase difference across the junction. Although this anomalous Josephson current is not relevant to the topological phase transition, its magnitude can be significantly enhanced whe, n the nanowire, s become topological superconductors where Majorana bound states emerge. Distinct modulation patterns are obtained for the semiconductor nanowires in the topologically trivial and non-trivial phases. These results are useful to probe the topological phase transition in semiconductor nanowire junctions via the dc Josephson effect. 展开更多
关键词 of IS on in for Anomalous Direct-Current Josephson Effect in Semiconductor Nanowire Junctions SOI
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PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型
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作者 李志怀 夏冠群 +2 位作者 程宗权 黄文奎 伍滨和 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期34-38,共5页
研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器... 研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。 展开更多
关键词 GAINASSB 红外控制器 PSPICE
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损耗介质中电磁波折射规律分析
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作者 孙浩译 谢德俊 +2 位作者 刘港成 钟方川 伍滨和 《大学物理》 2024年第6期68-72,共5页
本文在研究各向同性介质的基础上,分别对复折射角和复波矢两种方法进行考察,并从折射角和菲涅耳系数方面证明了这两种方法的等价性.我们进一步利用时域有限差分法数值模拟了损耗介质中的电磁波传播过程,验证了理论分析结果的可靠性.更... 本文在研究各向同性介质的基础上,分别对复折射角和复波矢两种方法进行考察,并从折射角和菲涅耳系数方面证明了这两种方法的等价性.我们进一步利用时域有限差分法数值模拟了损耗介质中的电磁波传播过程,验证了理论分析结果的可靠性.更有趣的是,与无损耗介质折射不同,电磁波在斜入射到损耗介质后可能存在不改变传播方向的情况,即折射角可以等于入射角.这些分析不仅有利于理解电磁波在无损耗介质-损耗介质中的传播规律,也对电磁学知识的学习与应用有所帮助. 展开更多
关键词 损耗介质 斯涅尔定律 复折射角 复波矢
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二氧化钒太赫兹辐照温度自限制效应研究
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作者 崔俊怡 赵敏 +4 位作者 徐晓峰 王春瑞 韦联福 曹俊诚 伍滨和 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2021年第5期56-63,共8页
温度自限制效应能够使物体在辐照光强变化的条件下,仍能保持稳定的温度.本文提出一种能够在太赫兹辐照下保持温度自限制效应的微粒设计.这一设想利用二氧化钒(VO_(2))在相变温度附近能够发生剧烈的光学性质变化,从而使微粒的温度产生自... 温度自限制效应能够使物体在辐照光强变化的条件下,仍能保持稳定的温度.本文提出一种能够在太赫兹辐照下保持温度自限制效应的微粒设计.这一设想利用二氧化钒(VO_(2))在相变温度附近能够发生剧烈的光学性质变化,从而使微粒的温度产生自适应调节,最终在较宽的太赫兹辐照光强范围内,使粒子温度维持在相变温度附近.为了验证这一设计,我们利用米氏理论对VO_(2)微粒的光热效应进行了理论分析.计算结果表明,改变粒子尺寸可以有效地调节VO_(2)的太赫兹吸收特性.在合适的粒子尺寸下,相变后VO_(2)粒子对太赫兹的吸收可以迅速降低,有助于粒子温度在很宽的辐照强度范围内维持在相变温度附近,不随辐照强度的增加而显著上升.这些结果为实现具有太赫兹辐照温度自限制效应的器件和应用提供了可能. 展开更多
关键词 太赫兹 二氧化钒 光热效应 温度自限制效应
原文传递
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