采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维Cu O纳米线（Cu O NWs）阵列;利用扫描电镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对Cu O NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对Cu O NWs形...采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维Cu O纳米线（Cu O NWs）阵列;利用扫描电镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对Cu O NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对Cu O NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制。结果表明：Cu O NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,Cu O NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落。同时也研究了Cu O NWs阵列光催化降解甲基橙的能力。结果表明：Cu O NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%。展开更多
文摘采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维Cu O纳米线（Cu O NWs）阵列;利用扫描电镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对Cu O NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对Cu O NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制。结果表明：Cu O NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,Cu O NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落。同时也研究了Cu O NWs阵列光催化降解甲基橙的能力。结果表明：Cu O NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%。
