第三代半导体GaN材料发展状况简介

半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体管的诞生到1965年半导体硅(Si)材料超越Ge材料成为半导体集成电路的主要材料,再到二十世纪七十年代以砷化镓(GaAs)材料为代表的第二代半导体材料的引入,半导体技术的发展与进步不断地引起世界各国的重视,尤其是近年来,无线通信、雷达等领域的高频率、宽带宽、大功率、高效率器件的需要,第三代半导体材料——以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),金刚石为代表的宽禁带半导体材料得到迅速的发展,得到了世界各国广泛的关注。

基于MATLAB 的风力发电模拟实验系统设计

本文针对风力发电的实际操作困难问题,风力发电的设备需要在严苛的测试条件下进行,因此本文设计了风力发电模拟实验系统,该系统针对风力发电系统的一次回路设计,通过PLC进行对参数的调试与控制,建立了模型数据接口,以MATLAB软件进行仿真测试,达到可以在实验室内低耗能情况下进行风力发电系统的模拟仿真实验,能够更好的提供良好的教学实验环境。

基于单片机的铁路道口报警系统设计

本系统设计主要利用了中国铁路带有磁电式列车轨道传感器的轨道自动报警控制系统,该报警系统基于STM32F103嵌入式控制平台,采用铁路微控制器中的视频采样处理技术、半导体器件驱动控制技术、连续波检测器技术等技术手段来自动实现现场报警数据的自动采集和分析处理,将现场采集到的信息转换成接近报警控制信号后,传递给轨道口内的值班人员、附近过往车辆与行人。实现了铁路火车道口接近铁路平交道口时的列车集中故障检测主动控制管理功能、道口接近列车主动预警控制功能、现场重要设备发生故障报警状态主动报警上报管理功能、重要设备数据的实时记录和数据储存管理、导出功能,对保障铁路交叉口的安全问题有着重要的意义。

LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍

完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,本文我们重点介绍LDD GaN HEMT器件的制备工艺。一、LDD GaN HEMT器件基本结构目前,LDD GaN HEMT结构主要由以下六个部分组成,从下至上分别为第一层、蓝宝石或者SiC衬底,第二层、AlN成核层,厚度约为100nm,第三层、GaN缓冲层,厚度约为2~3μm,第四层、AlGaN势垒层,厚度约为20nm,第五层、GaN帽层,厚度约为1nm,第六层、GaN HEMT源极,漏极,栅极。LDD GaN基HEMT(轻掺杂漏GaN基高电子迁移率器件)和常规GaN HEMT最主要的区别在于LDD GaN HEMT在栅极和漏极之间存在F等离子体注入工艺。