本文通过水热法在泡沫镍基底上生长了镍钴氧化物前驱体,并利用原子层沉积技术（ALD）在前驱体表面沉积一层超薄（〈1 nm）TiO2薄膜,通过退火处理制备了纳米NiCo2O4/TiO2复合电极材料。结果表明,经过原子层沉积处理以后的纳米NiCo2O4/TiO...本文通过水热法在泡沫镍基底上生长了镍钴氧化物前驱体,并利用原子层沉积技术（ALD）在前驱体表面沉积一层超薄（〈1 nm）TiO2薄膜,通过退火处理制备了纳米NiCo2O4/TiO2复合电极材料。结果表明,经过原子层沉积处理以后的纳米NiCo2O4/TiO2电极材料在保持原有的形貌和结构基础上电化学性能大幅提高,电极材料在2 m A/cm^2的充放电电流密度下比容量达到了2.94 F/cm^2,在10 m A/cm^2的电流密度下,经过4 000次循环以后比容量依然保持较高水平,显示出了很好的循环稳定性。展开更多
文摘本文通过水热法在泡沫镍基底上生长了镍钴氧化物前驱体,并利用原子层沉积技术（ALD）在前驱体表面沉积一层超薄（〈1 nm）TiO2薄膜,通过退火处理制备了纳米NiCo2O4/TiO2复合电极材料。结果表明,经过原子层沉积处理以后的纳米NiCo2O4/TiO2电极材料在保持原有的形貌和结构基础上电化学性能大幅提高,电极材料在2 m A/cm^2的充放电电流密度下比容量达到了2.94 F/cm^2,在10 m A/cm^2的电流密度下,经过4 000次循环以后比容量依然保持较高水平,显示出了很好的循环稳定性。
