基于多项式划分的NTRU加密域可逆数据隐藏方案

随着云计算技术的发展和隐私保护的需要,同态加密域中的可逆数据隐藏已成为一项研究热点。加密域可逆数据隐藏方案大多利用了图像中像素点之间的相关性及冗余,适用范围受到了一定的限制。为了提高数据隐藏方案的适用性和嵌入容量,针对NTRU(Number Theory Research Unit)加密系统,提出了一种基于多项式划分的可逆数据隐藏方案。该方案将NTRU加密系统中的多项式空间划分为用于表示原始载体的明文段和用于隐藏数据的数据隐藏段,可用于在多种加密的数字媒体中隐藏数据。接收者可以从密文中直接提取一部分隐藏的数据,并能从解密得到的明文中提取另一部分隐藏的数据,并无损地恢复原始明文。在实验部分,分别以灰度图像和文本为例,对所提算法的可行性进行验证。实验结果表明,对于一个以8比特表示的明文值,其密文中最多可以隐藏N-8比特的数据,其中N为NTRU加密系统中的参数;当N取503时,在一个密文中最多可以隐藏495比特的数据,并能无损地恢复出原始明文值。与现有的同类方案相比,该方案所提的NTRU域可逆数据隐藏算法具有较高的嵌入容量和较强的适用性。

基于位平面统计相关的支持向量机图像隐写分析算法

随着隐写技术的发展,隐写分析引起了越来越多研究人员的关注。通过对隐写前后图像位平面的相关性分析,提出一种空域LSB通用隐写分析算法。该算法只使用了32个特征统计量,具有较低的计算复杂度。实验结果表明,此算法对嵌入消息长度小于0 3bpp的载密图像的检测准确率超过90%,多次实验也表明此算法具有很好的稳定性。

彩色JPEG图像的隐写分析

图像隐写分析的目的是检测图像中隐藏信息的存在性．JPEG图像的广泛使用使其成为一种重要的隐写载体，因而针对JPEG图像的隐写分析受到研究者们的广泛关注．本文基于彩色图像YCbCr颜色空间DCT系数的统计分布模型，提出一种彩色JPEG图像的隐写分析算法．通过计算载体图像和掩密图像DCT系数统计分布之间的鉴别信息，评估常见DCT域隐写术对载体图像DCT系数统计分布的改变．以统计分布模型参数为特征向量，采用支持向量机实现对载体图像和掩密图像的有效分类．实验结果表明，本文算法具有较高的检测率，性能优于使用Faxid所提出的彩色QMF统计量的隐写分析算法．

基于变步长量化的安全图像隐写

图像隐写通过将信息隐藏在载体图像中进行秘密传送,实现隐蔽通信。提出了VSQS图像隐写算法,利用密钥控制生成高斯序列并取整,用于对经伪随机排列后的图像像素进行变步长量化,根据量化像素与秘密信息之间的关系来修改像素,实现信息的嵌入。同时给出了该算法的一种扩展(称为TLQS隐写)。实验结果表明,VSQS和TLQS图像隐写可提供较大的隐藏容量,并能抵抗几种常见的隐写分析方法。

隐写术安全性度量模型及其应用

关于隐写术安全性的度量,目前尚缺乏有效的模型.文中在建立图像离散余弦变换(DCT)系数统计分布模型的基础上,根据隐写系统安全性的信息论定义,推导和建立了一种DCT域上的隐写术安全性度量模型.利用此模型对常见空域和DCT域隐写术的安全性进行了对比分析,同时进行了模型求解方法、隐藏容量、分块大小、嵌入策略和两次压缩等因素对安全性度量影响的实验.结果表明,文中提出的模型是有效的,能为隐写术和隐写分析算法的设计提供有价值的参考.

计算机学科本科生科研创新能力培养模式探究

通过总结目前本科生科研创新能力培养的定位、组织管理以及相关机制等存在的不足,探讨课程学习、科研训练与学科竞赛以及本科生、研究生与指导老师两个"三者关系"的协调和互动机制,结合计算机学科的特点,探讨大学生科研创新能力培养的可行模式。

非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态Si O2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的Li NbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对Li NbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析,确定了薄膜c轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态Si O2过渡层上的Li NbO3薄膜由尺度约为150×150nm的四方柱状c轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.此外,对于Li NbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Vol mer模式.

CaGa_4晶体结构的多晶X-射线衍射研究

本文用x-射线粉末法对CaGa_4的晶体结构进行了研究。结果表明:该晶体属单斜晶系;空间群为C(?)_h—C_(2/m);晶胞参数a=618.4pm,b=613.2pm,c=612.0pm,β=118.90~2;z=2。

隐写分析——原理、现状与展望

信息隐藏是信息安全和多媒体信号处理领域一个非常年轻但又发展迅速的研究方向。隐写术和隐写分析是信息隐藏的重要研究内容。介绍隐写分析的原理,给出隐写分析方法的四个评价指标,从隐写分析类型的角度给出图像隐写分析通用原型系统。将国内外隐写分析研究方法分为专用和通用隐写分析两类,分别介绍其研究现状,对每类中典型的隐写分析方法进行评价,并对隐写分析中存在的3个主要问题进行讨论,指出隐写分析未来的发展方向,展望隐写分析的前景。

ITO:Mo透明导电薄膜的制备

利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。

钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性

以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐尖晶石相ZnSm2O4.特别研究了样品Zn0.97Sm0.03O的表面形貌与成型压力之间的关系和晶粒尺寸、相对密度、电阻率随烧结温度的变化关系.结果表明:成型压力为5 MPa时样品缺陷最少,当烧结温度为1 300℃时,用四探针测试仪测得样品电阻率的最小值为4.78×10-2Ω.cm,用阿基米德排水法测得样品的相对密度超过95%;用振动样品磁强计(VSM)测量陶瓷样品磁化强度与磁场强度之间的关系,表明样品在室温下均呈现顺磁行为.

衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。

氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响

本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。

一种基于DCT中频的图像水印技术

数字水印技术在数字产品的版权保护 ,使用监控 ,安全传输和保密通信等方面潜在巨大应用前景 .本文研究一种基于DCT中频的图像水印技术 .该算法根据JPEG量化表自适应地调整嵌入到图像DCT中频系数的水印信号的强度 .

Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的电性能

Nd等价取代Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)的A位,形成SrBi_(8-x)Nd_xTi_7O_(27)(x=0.00～1.50)共生陶瓷.结果表明:Nd掺杂未改变晶体的共生结构,样品剩余极化(2P_r)在掺杂量x=0.50时取得极大值,为32.3×10^(-2) C·m^(-2),比未掺杂时增加了70%,而矫顽场则从未掺杂时的90.5×10~5 V·m^(-1)上升为103×10~5 V·m^(-1).Nd掺杂使得样品的居里温度(t_C)有所下降,x=0.50时的t_C为538℃.掺杂使得样品的压电性能明显改善,压电系数d_(33)从未掺杂时的6 pC·N^(-1)增加到x=0.50时的11 pC·N^(-1).

室温型镀Sn熔盐中Sn离子种类的研究

The ionic species in SnCl\-2-1-butylpytidinium chloride (BPC) ambient temperature molten salt electrolytes were investigated by using the computer simulation method. It was found that the Sn electrode potential was changed suddenly at 50.0% mole fraction SnCl\-2. The major ionic specie in the 33.3%SnCl\-2 melt is SnCl\+-\-3 and that in the 66.6% SnCl\-2 melt is Sn\-2Cl\+-\-5. Both SnCl\+-\-3 and Sn\-2Cl\+-\-5 existed in the 50.0%SnCl\-2 melt.

透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。

中国民航货运总量的两种预测方法

预测在社会生活的各方面都有很重要的应用,本文论述了两种数学预测方法的模型和相关性检验,结 合中国民航的货邮运输量的历史数据,得出中国民航货邮运输量的数学预测模型及相应的预测数据。

退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当退火温度为500℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为1.46×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最高分别为6.56×1020cm-3、65cm2/(V.s),在可见及近红外区平均透过率达92%以上,尤其当波长为362nm时,最高透射率可达99%。