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题名无人机飞行控制系统虚拟样机平台
被引量:3
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作者
何火军
曹云峰
刘兴华
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机构
南京航空航天大学自动化学院
南京航空航天大学高新院
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期637-643,共7页
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文摘
在无人机飞控系统设计中,为克服依赖制造物理样机周期长、代价大、效率低的缺点,研究了无人机飞控系统的虚拟样机平台,提出了模型驱动方案,采用迭代和增量方法在虚拟样机平台上进行无人机飞控系统虚拟样机设计.用Rhapsody,Simulink,VC++等软件搭建虚拟样机平台,在该平台上完成了某型无人机飞控系统虚拟样机的设计.结果表明:在该平台上能快速、高效地设计用于无人机飞控系统开发的虚拟样机.
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关键词
虚拟样机
飞行控制
模型驱动
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Keywords
virtual prototype
flight control
model-driven
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分类号
TK172
[动力工程及工程热物理—热能工程]
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题名硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响
被引量:1
- 2
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作者
潘国刚
胡玮芳
何火军
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机构
绍兴市华越微电子有限公司
绍兴职业技术学院信息工程学院
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第1期140-145,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61272315)
浙江省科技厅国际合作项目(2017C3303)
绍兴市2017年科技计划资助项目(2017B70070)
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文摘
通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018~1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。
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关键词
硅单晶
氧含量
氧沉淀
缺陷
功率集成电路
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Keywords
silicon wafer
oxygen content
oxygen precipitation
defect
power integrated circuit
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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题名直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
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作者
鄢细根
何火军
陈新安
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机构
华越微电子有限公司
绍兴文理学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期113-117,128,共6页
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基金
东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金资助项目(2009-4)
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文摘
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
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关键词
直接栅MOSFET
静电场传感器
温度漂移
载流子浓度
载流子迁移率
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Keywords
direct gate MOSFET
electrostatic field sensor
temperature drift
carrier concentration
carrier mobility
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分类号
TP212.1
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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