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400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 被引量：5
1
作者 刘英坤 王占利 +5 位作者 何玉樟 郎秀兰 张大立 夏雷 吴坚 周晓黎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期26-28,共3页
采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。
关键词 Mo栅工艺 VDMOSFET 场效应晶体管
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400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管 被引量：3
2
作者 刘英坤 杨增敏 +5 位作者 郎秀兰 王占利 何玉樟 吕仲志 李勇 周晓黎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期877-880,共4页
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出... 研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％． 展开更多
关键词 功率器件 场效应晶体管 VDMOS
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