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题名电磁辐射暴露限值及测量
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作者
何谟谞
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机构
成都飞机工业(集团)公司
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出处
《中国新通信》
2013年第10期48-49,共2页
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文摘
近年来,随着电子、通信技术的迅速发展和人们健康意识的不断提高,电磁辐射正逐渐成为人们关注的一个焦点。本文较全面地介绍了电磁辐射暴露相关知识,系统分析了国内、外电磁辐射暴露安全标准现状,指出了国内军、民用电磁暴露标准及测试的不足,对改进现有标准体系进行了展望。
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关键词
电磁辐射
暴露
限值
标准
测量
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分类号
TM93
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名试析复合材料在微波工程中的运用
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作者
何谟谞
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机构
成都飞机工业(集团)公司
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出处
《中国新通信》
2013年第6期50-51,共2页
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文摘
随着科学技术的迅速发展,人类对于世界的认识达到了一个崭新的层面,一系列新事物、新材料不断涌现。微波,这种自然界中一种常见的波段,被运用到人类生活的各个方面。但由于微波的特殊特性,使得人类在利用这种波段时难免遇到各式各样的问题,在这种情形下,新型的复合材料应运而生。新型复合材料的运用极大的提升了微波的使用效率,在微波工程中发挥了巨大的作用。在本文中,笔者将针对微波和复合材料的的特性,结合案例,系统地分析复合材料在微波工程中所起到的作用,对复合材料在微波工程未来的发展前景做出展望。
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关键词
复合材料
微波工程
金红石陶瓷-玻璃
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分类号
TN925
[电子电信—通信与信息系统]
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题名一种12GHz的高增益低噪声放大器
被引量:1
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作者
何谟谞
胡钧剑
高博
贺良进
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机构
成都飞机工业(集团)有限责任公司
四川大学物理学院
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出处
《电子技术应用》
2022年第4期104-107,共4页
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文摘
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。
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关键词
GaAs
pHEMT
LNA
共电流两级结构
高增益
LC阶梯匹配网络
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Keywords
GaAs pHEMT
LNA
common current two-stage structure
high gain
LC ladder matching network
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分类号
TN702
[电子电信—电路与系统]
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