关于静态电磁场的动量密度

本文由动量、能量守恒定律,简便地推导出静态电磁场的动量密度表达式.与通常做法不同,推导过程未涉及麦克斯韦方程组.

求解电缆自感系数的一个佯谬

用求自感系数的两个常用公式求解实心电缆自感系数时,如果不注意对公式中Φm及I的正确理解,将会得到不一致的“佯谬”结果。本文通过将实心电缆等效为许多细线圈的方法,用2种公式求解得到了一致的结果。

界面散射对Ni_(80)Co_(20)/M(M=Co,Cr,Ag)多层膜各向异性磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了Ｎｉ８０Ｃｏ２０／Ｍ（Ｍ＝Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ）多层膜样品系列，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ杂质层的标称厚度为０．１ｎｍ，研究了界面散射对多层膜的磁及输运性质的影响．零场电阻率ρ的测量结果表明，对含Ｃｒ样品，ρ随杂质层间距Ｌ的依赖关系能较好的用Ｆｕｃｈｓ－Ｓｏｎｄｈｅｉｍｅｒ（Ｆ－Ｓ）理论描述．而对含Ｃｏ和Ａｇ样品，ρ随Ｌ的依赖关系在Ｌ小于１５ｎｍ时开始偏离Ｆ－Ｓ理论．磁电阻测量表明，含Ｃｒ和Ａｇ样品，各向异性磁电阻Δρ在Ｌ＜１５ｎｍ时随Ｌ的减小陡然下降．对含磁性Ｃｏ元素的样品，其Δρ值在Ｌ＞１５ｎｍ时高于Ｎｉ８０Ｃｏ２０单层薄膜的Δρ值；在Ｌ＜１５ｎｍ时Δρ值随Ｌ呈现振荡变化的趋势．磁性测量表明，三个系列样品的矫顽力Ｈｃ在Ｌ＜１５ｎｍ时都随Ｌ近似直线上升，在Ｌ＞１５ｎｍ后趋于饱和；经４００℃真空退火后Ｈｃ都显著下降．

关于干涉条纹的级次,兼论"半波损失

由于引入"半波损失"这一概念而导至计算光的干涉明暗条纹公式不统一,不确定,从而导至学生在学习这一部分内容上的混乱,为此提出条纹级次不引入"半波损失"概念,从而使五花八门的干涉条纹公式变为一条,这样便于记忆。

颗粒型Ni/Pb不连续多层膜的铁磁共振研究

用射频磁控溅射方法制备了一系列颗粒型 N i/Pb不连续多层膜样品 ,并采用 X射线衍射方法表征了样品的微观结构。在铁磁共振实验中 ,观察到了一致进动模 (uniform m ode)和高场光学模 (optical mode)的共振吸收峰。主共振峰和光学模的峰位依赖于外磁场的角度及薄膜厚度。高场光学模的发现表明 ,颗粒型 N i/Pb不连续多层膜存在较强的反铁磁耦合 ,耦合强度随Pb层厚度以指数衰减形式变化。这与面内磁滞回线得到的饱和场随 Pb层厚度的变化关系定性上一致。

介质球极化强度计算中一个需澄清的问题

指出现行电动力学教科书中关于介质球极化强度计算中一个应予澄清之问题，并对此问题做了澄清。

利用薄折反系统测透镜折射率

提出了一种测定正、负透镜折射率的简单方法。

P－V图上直线过程中几个特征参量的几何表示

本文用直观的几何方法表示出Ｐ－Ｖ图上理想气体在负斜率直线过程中的温度最高点，吸放热转变点，及热容的正负取决于过程发生在Ｐ－Ｖ图上的区域．

运动时钟变快的佯谬

本文提出了一种运动时钟变快的佯谬及消除这种佯谬的方法。

感生各向异性对溅射Ni_(80)Co_(20)合金膜的磁及磁电阻性能的影响

采用磁控溅射方法，在诱导磁场下制备了一系列不同厚度的 Ｎｉ８０ Ｃｏ２０合金薄膜．并研究了外磁场诱导的面内感生各向异性随薄膜厚度及退火工艺的依赖关系，以及各向异性对样品的磁电阻回线和矫顽力的影响。实验发现，外磁场诱导的面内感生各向异性随薄膜厚度的增加而逐渐减弱。沿面内易轴方向测得的磁电阻回线在矫顽力处具有很尖锐的磁电阻变化峰，因而具有很高的磁电阻灭敏度。沿易轴方向的矫顽力比在难轴方向测得的矫顽力大．两者都随膜厚的增加而增大，其差别随膜厚的增加而减小。样品经４００℃真空退火后，面内感生各向异性基本消失，矫顽力也显著降低．实验还发现，当薄膜厚度小于Ｎｉ８０Ｃｏ２０合金的电子平均自由程（～１５ｎｓ）时．各向异性磁电阻、ρ和ρ／ρ都陡然下降；当Ｄ＞２０ｎｓ时，ρ已基本趋于饱和，而ρ／ρ仍继续增大。以上实验结果对 Ｎｉ８０Ｃｏ２０合金膜在磁记录和磁传感技术方面的应用具有实际意义。

Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中，发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合（ AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6％的 Cu后，发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低，峰宽变窄，峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似，而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下，掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低，而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果表明，用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属 /非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。

Co/Pb多层膜的磁垂直各向异性与磁光克尔效应

我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品，转矩仪测量结果表明，当Ｐｂ层厚度小于２纳米时，磁垂直各向异性场Ｈｕ随Ｐｂ层厚度的减小而增加。在磁光极克尔效应的测量中，发现在短波方向有磁光增强现象。

再谈光线反向时的处理方法

应用光线反向时的处理方法对一共轴球面光学系统进行了计算，并进一步对必须使用该方法的范围做了讨论。

全息相位共轭两步周视彩虹全息术

利用全息相位共轭技术，通过在光路中布置一块大孔径的菲涅耳螺纹透镜作为成象及聚光元件，从而成功地制得有较大观察口径的周视彩虹全息图。

快速退火对Si/NdFeCo/Cr薄膜微结构与磁性的影响

采用射频(RF)磁控溅射方法,在2种基底温度(TS=25,310℃)的基片上制备了结构为Si(111)/NdFeCo(610 nm)/Cr(10 nm)的薄膜样品,溅射氩气压保持在pAr=0.1 Pa。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、振动样品磁强计(VSM)、原子力显微镜(AFM)和磁力显微镜(MFM)等实验技术,研究了一步和三步快速退火(RTA-I和RTA-II)工艺对两种薄膜微结构和磁性的影响。结果显示,室温基底上沉积的样品呈非晶态,磁畴为面内磁畴结构;而加热基底上制备的样品则析出了Nd2Fe17和Nd6Fe13Si纳米晶,垂直磁各向异性(PMA)反常增强,垂直磁各向异性能为K⊥=1.18×105J·m-3,磁畴为平行条纹畴。在TA=500℃经过RTA-I/-II工艺后,基底加热样品析出的Nd2Fe17和Nd6Fe13Si纳米晶继续长大,磁畴由条纹畴转变为磁斑畴。而室温基底上制备的薄膜经RTA-I/-II退火后则没有观察到界面硅化物,却发现结晶出的Fe Co和Nd2Fe15Co2纳米晶粒大小和取向敏感地依赖于退火工艺。即一步快速退火工艺有利于析出(111)织构的Nd2Fe15Co2纳米晶,而三步快速退火工艺则易于诱导出(200)织构的Fe Co纳米晶。实验结果表明,基底加热薄膜中析出的Nd2Fe17纳米晶与Nd6Fe13Si界面硅化物的热膨胀特性正好相反,由此产生的残余内应力与磁弹各向异性,是导致基底加热薄膜PMA反常增强的主要原因。

一种新的三维漫射体真彩色彩虹全息术

提出了一种用单波长激光制作真彩色彩虹全息图的新方法。该方法的要点在于记录彩虹全息图Ｈ２时，使用了合成狭缝技术。因而大大提高了光能利用率，并使再现像的彩色还原性易于控制。

Nd含量对磁控溅射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜结构与磁性的影响

采用磁控溅射技术制备了系列Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜,其中,Co/Nd原子比x=2.5~7.2。利用XRD、SEM、AFM/MFM、VSM等手段研究了Nd含量对制备态薄膜垂直磁各向异性(PMA)与磁畴结构及退火态薄膜相结构与磁性的影响规律。结果表明,随着Nd含量的变化,制备态Nd-Co薄膜的垂直磁各向异性能Ku在x=5.2附近存在一个较宽的峰,峰值处Ku=(80±5) kJ/m3。MFM图像的相移均方根偏差(Δφrms)在临界成分χ=5.2处也存在最大值,其成分依赖关系与Ku-x的变化趋势一致。薄膜应力诱导的磁弹各向异性是导致溅射Nd-Co非晶薄膜PMA的主要原因。经过在600℃真空快速退火后,所有薄膜均析出了Nd2Co17、NdCo2、Nd4Co3等金属间化合物,而NdCo5±x相纳米晶只在Nd过量(至少4%,原子分数)的χ=2.5和3.8薄膜中才被观测到,同时还伴随着Nd2Co7共生相的析出。室温磁性测试结果表明,NdCo5±x和Nd2Co7相纳米晶的析出,导致χ=2.5和3.8薄膜面内矫顽力(分别为Hc-in=54和51 kA/m)显著增强;而x≥4.4样品的面内矫顽力保持在低值(Hc-in=4~8 kA/m)范围内。

真空退火对周期性界面掺杂Ni_(80)Co_(20)薄膜磁性的影响

用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(tFe) ]N 多层膜系列样品 ,其中tFe=0 1和 2nm .研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80 Co2 0 层厚度L的变化关系 .在退火态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 系列样品中 ,发现各向异性磁电阻 (AMR)和横向磁电阻 (TMR)在L为 10nm附近存在一较宽的增强峰 ,其峰位与制备态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(2nm) ]2 5多层膜TMR的增强峰位一致 .当L小于Ni80 Co2 0 合金的电子平均自由程时 ,制备态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 样品的各向异性磁电阻 (Δρ)和零场电阻率 ρ都随L的减小而增加 ,且ρ的增量超过Δρ的增量 .ρ随L的依赖关系可采用Fuchs Sondheimer理论描述 .在L小于 10nm时 ,制备态界面掺杂 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 系列样品的矫顽力Hc 随L近似直线上升 ,在L大于 10nm后趋于饱和 .退火后Hc显著下降 .实验结果表明 ,在多层膜结构中 ,界面散射可导致 ρ和Δρ的增强 ;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强 .