电子束曝光机子系统光柱控制器设计

为了提高电子束曝光机光柱控制器稳定性和控制精度,通过多年研究提出了一套功能较为完备的新型光柱控制的硬件设计方案,通过对电子束聚焦、对中、偏转、扫描曝光等参数精准控制,将图形发生器产生各项数字信号变换成对应的模拟量,稳定地控制电子束对承放在激光工作台上的掩模基片进行扫描曝光,从而达到高质量生产。

锂离子动力电池材料磷酸铁锂制备设备的研究

介绍了一种新型锂离子动力电池材料——磷酸铁锂的大规模连续式制备设备。着重阐述了该设备的关键技术、工艺原理、中试效果及发展趋势等。

燃气彩偏窑的温度控制与安全保护

燃气彩偏窑是以气体燃料作为能源,通过对燃烧过程的自动控制,达到温度精确控制,满足彩偏磁芯烧结工艺要求。同时,对燃烧过程中的熄火、燃烧气体和助燃空气压力超过正常范围、排烟不畅等进行有效控制,保证安全生产。

材料改性型离子注入机设计及试验研究

一种用于材料改性型离子注入机采用长寿命、大束流的微波离子源作为离子产生系统,离子经多孔三电极引出系统引出,通过加速获得所需的能量进入单元磁四极透镜的真空管道中,当带正电荷的离子束通过四极透镜时受到磁场力的作用,在X平面内受到会聚力,Y平面内受到散焦力,因此圆形的离子束通过透镜后变成长条形的离子束,通过调节打到靶上的束斑在Y方向的尺寸,控制注入的扫描范围。注入时离子束静止不动,工件随靶盘旋转实现均匀扫描注入。在金属材料中注入氮离子(N^(+))之后,氮离子作为间隙原子存在,产生较强的表面应力,对金属表面有强化作用,因而增加了注入层的硬度。离子注入能引起表面层组分与结构的改变,大量的注入杂质聚集在因离子轰击产生的位错线周围,形成柯氏气团,起钉扎位错作用,使表面强化,提高了表面的硬度,从而提高耐磨性。用该装置对刀具进行N^(+)注入,试验及生产数据表明材料表面的硬度和耐磨性得到明显提高。

半导体装备工程化批产脉动生产线技术应用与研究

国产半导体装备在国家政策及国内市场的双重推动下迎来了新发展机遇,未来设备交货能力将成为半导体工艺设备厂商竞争的重点,为进一步提高设备出货及市场交货能力,加强企业竞争力,通过脉动生产线技术应用,使得国产半导体装备工程化批产能力建设进一步得到加强,目前该生产线年产能180台套装备,其中200 mm(8英寸)立式炉、150 mm(6英寸)SiC外延设备等半导体装备已实现研转批工程化批产生产。该技术在半导体设备制造过程中具有重要的应用价值,可以有效提高生产效率和产品质量。然而,目前该技术在实际应用中还存在一些问题,需要进一步研究和改进。希望本文的研究成果对相关领域的研究者和实践者有所启示和借鉴。

腐蚀气氛下高温气氛保护窑加热元件的选用与分析

加热元件的选取要遵“环境～体系”原则,综合考虑窑炉各温区温度、气氛及腐蚀介质对加热元件的影响,选出最适应各个温度区、气氛场及腐蚀介质的加热元件,以保证高温气氛窑正常运行,使加热元件有良好的使用寿命和最低的经济支出。本文对某高温气氛保护窑不同温区的加热元件的选取,并对不同温区加热元件损毁机理进行分析。

SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究

SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造成本。

太阳能用晶体硅片切割技术

介绍了太阳能用晶体硅片切割技术的发展历史,简要分析了外圆切割、内圆切割和砂浆钢线切割技术,详细阐述了当前主流的金刚线切割技术,分析其相应设备及工艺技术的现状和发展趋势,并对未来的硅片切割技术进行了展望。