封装用高热导率硅胶性能的研究

通过对LED封装结构热模拟分析表明,模拟固晶胶粘贴部分失效的情况下,采用热导率为0.1W/m.K的普通硅胶封装成的LED芯片最高温度为220.27°C,采用导热填料高热导率硅胶灌封的LED芯片最高温度可降低到122.71°C,大幅降低了芯片的温度。纳米ZnO导热填料高热导率硅胶,其填料颗粒的直径小于25 nm,透光率高,可适用于LED封装。高温加速老化结果表明,采用导热硅胶灌封的LED样品具有很好的热稳定性,LED高温老化2 000 h后,光通维持率保持在90%以上,避免了由于灌封材料和荧光粉老化产生的黑褐色覆盖层,提高热稳定性和器件使用寿命。

稀土元素对肉鸡增重效果初报

目前,世界上一些科学技术较发达的国家,对稀土的开发和利用都非常重视,如日本、美国,已将稀土的应用扩展到很多领域。稀土在畜牧业中的应用刚刚开始,它首先被用于牧草,使产量有很大提高;另有报道,稀土添加到怀孕母兔的饲料中可使母兔产奶量增加,仔兔成活率提高;用添加了一定量稀土的配合饲料喂蛋鸡可使产蛋量有较大幅度的提高。稀土对植物能加强根部离子吸收活动和生理机能。

CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究

覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。

香叶天竺葵的组织培养

植物名称:香叶天竺葵(Pelargonium graveolens)。材料类别:叶片、叶柄。培养条件:改良的MS为基本培养基,用固体和液体两种培养方法。固体培养基琼脂用量为7g/L,液体培养基不加琼脂,为防止材料沉没,在三角瓶内加入适量脱脂棉。愈伤组织诱导培养基为:(1)液培+BA 1.5～2mg/L(单位下同)+NAA 0.5～1;

基于LED阵列照明光分布和光伏电池阵列的高速可见光通信技术

研究分析Si-PvCA物理结构、光电特性与其电路拓扑结构等关键因素,并在此基础上提出了利用LED阵列照明空间光分布和电池板可细分重构特征,改善信噪比,实现空分多址(Space Division Multiple Access,SDMA)多输入多输出并发VLC,为LED阵列照明与Si-PvCA的VLC应用发展提供了新的研究思路和框架。

论高校学报编辑的精品意识

高校学报是学术期刊，应准确无误地报道科研成果。为“科教兴国”服务是期刊和期刊编辑的责任所在。出精品期刊，首先要有一支高素质的编辑队伍。结合本编辑部工作实践，就编辑精品意识四要素———责任意识、使命意识、质量意识、读者意识谈一些粗浅看法，与同行共勉。１...

有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析

采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si2p和Si2s峰渐渐增强。C1s和Si2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。

衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响

为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7nA。实现了衬底温度及蒸发条件的最佳化。

实现光线分布随余弦m次方函数随意变换的光学设计方法

本文运用能量守恒定律,以函数I(θ)=I_(0)·cos^(m)θ作为载体工具,建立偏微分方程,求解点光源自由曲面透镜,建立了一套使LED的发光强度呈现余弦的m次方函数分布的方法、达到光型及角度随意变换的目的,可在等光强分布、等亮度分布、等照度分布等的光学设计中得到高效推广应用。最后运用本方法结合实际应用进行了等光强工矿灯透镜及等照度台灯透镜的设计,并取得了良好的效果。