核心素养视野下初中语文读写的迁移教学策略

语文学科作为传承文化、发展思维的重要载体,其读写教学的有效性直接关系到学生综合素质的提升。本文将围绕核心素养视野下初中语文读写迁移教学策略创新这一主题,探讨如何通过读写融合、以读促写、以写促读等,提高学生的语文核心素养,培养他们的阅读兴趣和写作习惯,进而提升其综合语文能力。

低温生长Cu(InGa)Se_2薄膜吸收层的掺钠工艺研究

在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池,Na的掺入会改善电池特性,但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se_2薄膜和器件特性的改善机理不同.本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现,在前掺Na工艺下,由于Na始终存在于Cu(In,Ga)Se_2薄膜生长过程中,Na存在于多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜晶界处,起到了扩散势垒的作用,导致晶粒细碎、加剧两相分离,同时减小了施主缺陷的形成概率;而在后掺Na工艺下,掺入的Na对薄膜的结构及生长不产生影响,仅仅起到了钝化施主缺陷、改善薄膜缺陷态的作用.同时,研究表明,后掺Na工艺中,NaF必须依靠外界能量辅助才能扩散进Cu(In,Ga)Se_2内部,实验结果证实,只有衬底温度达到350℃以上时,掺入的NaF才能较好地改善薄膜特性.最终经掺Na工艺的优化,得到低温工艺制备的柔性聚酰亚胺衬底器件效率达10.4%.

Stage2沉积速率对低温生长CIGS薄膜特性及器件的影响

研究了三步法第二步沉积速率对低温生长Cu(In,Ga)Se2薄膜结构、电学特性和器件特性的影响.通过改变第二步沉积速率发现,提高沉积速率可以显著促进薄膜晶粒生长,提高晶粒紧凑程度降低晶界复合,同时有效改善两相分离现象,提高电池的开路电压和短路电流,有助于Cu(In,Ga)Se2电池光电转换效率的提高.但同时研究表明,随着第二步沉积速率的增加,会促进暂态Cu(2-x)Se晶粒的生长,引起Cu(In,Ga)Se2薄膜表面粗糙度增大,并阻碍Na向Cu(In,Ga)Se2薄膜表面的扩散,造成施主缺陷钝化效应降低,薄膜载流子浓度下降和电阻率升高,且过高的沉积速率会引起电池内部复合增加并产生分流路径,造成开路电压下降进而引起电池效率恶化.最终,通过最佳化第二步沉积速率,在衬底温度为420C时,得到最高转换效率为11.24%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池.