一种新型有机薄膜的制备和光电性质的研究

用热蒸发法成功地在玻璃、硅和铝等衬底上沉积新型四羧基合铜化合物ＣｕＢ（Ｂ为有机配体甜菜碱）薄膜．通过对比薄膜与粉末原料的红外吸收光谱图，确认薄膜物质成分与结构未发生变化；电子探针分析结果表明薄膜的元素空间分布均匀．用金相显微镜、扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了研究；并测量了膜的电导温度特性、紫外可见吸收光谱和荧光光谱．结果表明，所制备的薄膜是具有很宽禁带宽度（Ｅｇ＞６ｅＶ）的绝缘体，带隙中具有３个能级，测得荧光发射的特征波长为４０９ｎｍ．

硅微尖锥冷阴极微加工及其场发射器件物理

片上集成驱动控制电极的硅微尖锥是一类重要的场致电子发射阴极(冷阴极),具有驱动电压低、集成度高、加工流程与集成电路工艺兼容的特点,在微型化真空电子器件上具有应用潜力。本文介绍片上集成硅微尖锥冷阴极关键微纳加工方法及原理,分析硅微尖锥冷阴极场发射器件物理,展望硅微尖锥冷阴极的应用前景。

塑料基底a-Si∶H TFT制备技术

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n＋a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H（原子数分数）约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10^-78.8×10^-6S/cm;n＋a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10^-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能：Ioff≈1×10^-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/（V.s）,S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。

可印制碳纳米管冷阴极中碳纳米管含量的优化

采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响,具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性最佳。

“真空测量仪器”专刊序言

真空测量技术是真空科学与技术的重要学科组成,真空测量仪器是以真空物理为基础,伴随着材料、机械、电子、信息等领域的快速发展,不断迭代创新的技术方向,在航空航天、半导体、核工业、表面工程等领域发挥着重要作用。适逢《真空与低温》创刊40周年,我们聚焦真空全压力和真空分压力精确测量技术与仪器,推出“真空测量仪器”专刊,以表祝贺。

基于STM32智能小车的微电子专业“电子线路开放实验”教学实践与探索

为提升微电子专业“电子线路开放实验”课程教学质量,对基于树莓派实验平台的教学方案进行了改革,提出一种基于STM32智能小车的新教学方案。首先,简要介绍了STM32智能小车实验教学平台;其次,详细介绍实验内容安排和教学内容;最后,阐述取得的教学效果。实践证明,该教学方案突出了课程的开放性,内容更加精简连贯,适应微电子技术快速发展的需要,激发了学生对微电子专业学习的兴趣,为微电子专业学生学习后续课程指明了方向。