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纳米硅薄膜分形凝聚模型 被引量:11
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作者 林鸿溢 余卫武 +1 位作者 武旭辉 何宇亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期567-573,共7页
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用... 从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系. 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 分形凝聚模型 半导体薄膜 薄膜
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