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纳米硅薄膜分形凝聚模型
被引量:
11
1
作者
林鸿溢
余卫武
+1 位作者
武旭辉
何宇亮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期567-573,共7页
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用...
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.
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关键词
纳米硅薄膜
分形凝聚模型
半导体薄膜
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
纳米硅薄膜分形凝聚模型
被引量:
11
1
作者
林鸿溢
余卫武
武旭辉
何宇亮
机构
北京理工大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期567-573,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.
关键词
纳米硅薄膜
分形凝聚模型
半导体薄膜
薄膜
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅薄膜分形凝聚模型
林鸿溢
余卫武
武旭辉
何宇亮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
11
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