低剂量氯胺酮对工作记忆的影响

氯胺酮是一种N-甲基-D-天冬氨酸受体(NMDAR)阻滞剂,低剂量氯胺酮具有良好的镇痛、抗炎和抗抑郁作用,近年来受到了广泛的关注。但是低剂量氯胺酮对于高级认知功能的影响尚未全面阐明。工作记忆是涉及众多复杂认知活动的关键功能,有研究显示低剂量氯胺酮急性或慢性使用均会损伤工作记忆,其神经机制也开始受到关注。深入分析低剂量氯胺酮对于工作记忆的影响及其机制对于指导氯胺酮的临床使用具有重要意义。本文首先介绍了低剂量氯胺酮作用于神经系统的药理作用途径,以及工作记忆本身的神经环路机制,进而回顾了近年来关于低剂量氯胺酮对工作记忆的急性和慢性作用的相关研究,并重点分析了低剂量氯胺酮损伤工作记忆的可能的神经机制,希望对低剂量氯胺酮在临床中的合理使用提供科学依据。

亚微米光刻与刻蚀工艺研究

采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。

亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制

本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.

亚微米自对准硅化钛CMOS工艺

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。

1μm高速CMOS容错时钟接收器电路的研制

采用新的设计规则与先进的自对准硅化钛LDD CMOS工艺,研制成功了相当于1386主频的1μm、25MHz高速容错时钟接收器电路.

反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用

本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。

0．50微米LDD PMOS工艺研究

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。

亚微米CMOS阈值电压控制研究

由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂质注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的。

高速亚微米LDDE/D门的研究

本文分析了基本上按1μm、2μm、3μm、4μm设计规则设计的轻掺杂漏(LDD)E/D门的门延迟,提出了设计与制造高速LDDE/D电路的基本思想。

重掺杂对钛硅化物形成的影响

本文研究了重掺杂对两步快速退火(RTA)形成的钛硅化物的影响及形成机理,认为,重掺杂有妨碍TiSi_2形成的作用,钛硅化物的形成过程由硅的扩散和硅化物的成核过程组成。

0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。

侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用

本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。

反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究

反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。

浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用

采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N^+/P结和0.17μm P^+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。

酵母发酵工业废水生物降解菌的筛选

[目的]筛选酵母发酵工业废水生物降解菌,研究该菌株降解废水的最佳降解条件。[方法]以宜昌市某企业发酵工业废水为唯一碳源,通过选择性富集、驯化和划线分离纯化,从宜昌地区污泥中筛选得到菌株SA,采用形态观察和生理生化试验相结合的方法对菌株进行特性鉴定。以温度、pH值和底物浓度为影响因素,通过正交试验确定菌株降解发酵工业废水最佳条件。[结果]经鉴定,菌株SA为施氏假单胞菌(Pseudomonas stutzeri spp.)。由正交试验得出菌株SA降解宜昌某企业发酵工业废水的最适条件为:温度35℃,pH值6.0,底物浓度600 ml/L。在最适降解条件下,菌株对发酵工业废水的COD去除率可达73.1%,表明该菌株的矿化能力较强。[结论]该菌株在好氧条件下具有较强的降解发酵工业废水的能力。

儿童全视野和半视野视觉诱发电位的研究

目的 对正常儿童和弱视儿童分别进行全视野和半视野棋盘格翻转刺激 ,观察视觉诱发电位 (VEP)P1 0 0 峰的潜伏期 ,进行有关视通路的研究。方法 使用 MVT视觉图形信号发生器和 MVT16导视觉诱发电位仪在多个空间频率下对 10例视力正常的 7～ 8岁儿童和 5例 4～ 6岁弱视儿童进行半视野和全视野的棋盘格翻转刺激并记录 VEP反应。结果 (1)对正常儿童进行半视野刺激时 ,与刺激同侧的半球上电极测得的 P1 0 0 峰潜伏期比异侧要提前 ;(2 )正常儿童与弱视儿童的第 14导电极 (Oz,位于枕部正中 )测得的 P1 0 0 峰潜伏期与刺激野 (指半视野或全视野 ,同侧视野 )无明显关系 ;(3)弱视儿童的 P1 0 0 峰潜伏期较正常儿童有明显延迟。结论 弱视儿童视觉传导通道障碍 ,视觉中枢存在发育和功能异常 ;VEP是检测弱视儿童视功能的客观方法。

基于知识共享的研究生创新团队建设研究

研究生创新能力的培养是当前研究生教育的重中之重.针对当前高校研究生创新团队的创新能力相对不足的现状,本文在分析研究生创新团队的特点基础上,阐述了研究生创新团队进行知识共享的障碍,最后从知识共享角度提出了研究生创新团队建设的几点建议,为研究生创新团队的建设实践提供更具适用性、切实有效的依据.

本地要素和创新生态的开放性与后发地区人工智能产业发展——以成渝都市圈为例

数据、算法、算力、应用场景和人才是人工智能产业发展的基本要素。人工智能产业属于战略性新兴产业,大都起源于创新资源丰富的发达国家和地区。对于后发国家和地区而言,拥有创新资源的区域科技创新中心具备发展人工智能产业的基本条件。在初始阶段,基于本地要素的创新创业活动是人工智能产业发展的基本动力。同时,培育和发展有利于促进本地与发达国家和地区创新要素相互结合的开放创新生态,是加速区域人工智能产业发展的重要因素。积极推动应用场景开放、加快优势产业智能化进程、引进外部创新资源和推动本地企业积极参与外部人工智能开放创新平台企业主导的创新生态,形成具有全球竞争力的人工智能产业集群,是后发国家和地区人工智能产业发展的战略选择。

新生儿缺血缺氧性脑病的磁共振诊断

目的探讨磁共振成像对新生儿缺血缺氧性脑病(H IE)的诊断价值。方法回顾分析43例新生儿H IE的MR I异常征象。结果43例H IE轻度17例,主要表现为T1W I上皮层下斑点状及弯曲条状高信号,其中1例伴有蛛网膜下腔出血;中度24例,其中20例,T1W I表现为两额叶深部对称性点状高信号,4例为两侧脑室边缘条状高信号;重度2例,1例为基底节点状高信号伴脑室内出血,1例T1W I为丘脑区斑片状不均匀高信号,伴内囊后肢低信号及侧脑室边缘条状信号。结论MR I对新生儿H IE的诊断具有较高的特异性、敏感性。

用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺

本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。