面向脉冲调制器的S波段高效线性MMIC功率放大器

针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法。采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度。基于南京电子器件研究所GaAs pHEMT工艺,研制了一款S波段高效率线性功率放大器进行验证。测试结果表明,在3.4~4.0 GHz频段内,当输入功率为-10 dBm时,输出功率为26.2~26.7 dBm,功率附加效率为53.3%~60.7%,功率增益为36.2~36.7 dB。在3.7 GHz频点,输出功率为24.5 dBm,三阶互调失真小于-30 dBc;9 dB峰均比、40 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率分别为20.5 dBm和28%,实现了-30 dBc的邻道功率比及5.5%的误差向量幅度。

星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片

基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一种带谐波匹配的高效率输出匹配电路,并通过引入有耗匹配,研制出了低压稳定的级间匹配电路。芯片面积为2.8 mm×2.6 mm,管芯漏极动态电压仿真峰值低于30 V,实测结温小于80℃,满足宇航Ⅰ级降额要求。功率放大器在17.5~18.0 GHz、漏压12 V(连续波)条件下,典型饱和输出功率2.5 W,附加效率38%,功率增益大于20 dB,线性增益大于27 dB,满足星载高效率要求。

一体化匹配网络的Q波段Doherty功率放大器MMIC设计

提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化,结合兰格耦合器,去除了传统Doherty功放结构中输出和输入四分之一波长线。采用0.15μm GaN工艺研制了一款Doherty放大器MMIC。连续波测试条件下,此放大器在38~42 GHz频段内,饱和功率达到40 dBm,饱和PAE大于24%,6 dB输出功率回退PAE达到16%。在中心频率40 GHz、20 MHz双音间隔测试条件下,输出功率回退3 dB时,放大器的三阶交调失真IMD3小于-21 dBc。

6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

S波段35WGaN功率MMIC

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该放大器在14．6～18GHz频带内，小信号增益30dB，脉冲饱和输出功率达15W，功率附加效率（PAE）大于32％；在14．8GHz频点处，放大器的峰值功率达19．5W，PAE达39％．该结果表明GaNMMIC具有高频高功率高效率的优势，具有广阔的应用前景．

负压吸引在老年肢体深烧伤植皮区的应用

目的了解负压吸引(VSD)对老年肢体深烧伤清创植皮区皮片生长愈合的影响。方法观察组选老年肢体深烧伤7例,11个肢体,常规手术清创自体刃厚皮片移植后应用VSD持续吸引,维持负压-0.15～-0.25kPa之间,7～14d,7d更换一次至术后14d拆除VSD装置,对照组选老年肢体深烧伤18例,21个肢体,植皮手术后常规包扎换药,术后48h,7、14d观察2组的创面渗出、愈合时间、植皮片存活率、手术次数。结果观察组的术后创面渗血渗液发生率低,与对照组比较有显著差异(P<0.01),表明炎症反应轻,植皮片更易完全存活,创面愈合时间短,平均(11±4)d,对照组则愈合时间平均(18±11)d,且所有患者均不需再次手术,肢体功能恢复好,遗留瘢痕少。结论清创植皮术结合持续VSD在老年肢体深烧伤植皮伤口应用,有利于促进植皮存活,促进创面愈合,减少瘢痕形成,恢复肢体功能。

纳米抗菌敷料在烧伤植皮中的应用观察

目的 观察纳米烧烫伤贴对烧伤植皮的疗效。方法 临床观察 2 8例住院烧伤患者 ,全部为深度烧伤 ,创面早期去痂做各种植皮 ,将植皮区分为用纳米敷米区与用氯霉素凡士林纱同时包扎区 ,记录创面感染率、皮片愈合时间及愈合率。结果 用纳米敷料区创面感染率明显低于氯霉素区 (P <0 0 1)。大张植皮和小邮票 +异体皮植皮区愈合时间较对照区短 (P <0 0 5和P <0 0 1)。植皮区皮片愈合率较对照区高 (P <0 0 1,P <0 0 5 )。

0.15μm GaN HEMT及其应用

报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。

小儿烧伤入院前处理分析

目的:分析小儿烧伤入院前处理对治疗及转归的影响。方法:回顾分析302例小儿烧伤患者入院前补液量与并发症的关系,以及入院前创面处理与住院时间、并发症、转归的关系。结果:入院前轻度和中度烧伤组补液与未补液仅2例(0.90%)发生休克,重度和特重度烧伤组未补液组、补液量不足1/3总量组、补液量超过1/3总量组休克发生率分别88.24%、55.56%、3.85%(P<0.01);入院前创面用自来水冲洗82例,未作任何处理142例,不正确处理78例,平均住院时间分别为(7.5±2.0)d,(11.3±1.6)d,(15.1±2.3)d(P<0.01),并发症的发生率分别为10.0%、11.97%、26.92%,愈合和好转率分别为98.75%、95.77%、92.30%(P<0.01)。结论:小儿烧伤后正确的院前处理对治疗和预后有重要意义。

X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC

研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通过这两种技术途径有效提高芯片的功率附加效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配方式,扩展工作带宽以及提高稳定性。芯片在8~12GHz频带范围内漏压28V,脉宽100μS,占空比10%工作条件下输出功率达到47.5~48.7dBm,功率增益大于20dB,功率附加效率40%~45%。芯片面积3.5mm×3.8mm,单位面积功率密度为5.57 W/mm2,连续波条件下热阻为1.7K/W。

复合纳米银凝胶修复烧伤创面的实验观察和临床应用

目的观察复合纳米银修复烧伤创面的效果。方法应用兔高压电损伤模型将新西兰兔45只击伤后分为3组。组1,局部应用复合纳米银凝胶治疗7 d;组2,单用纳米银凝胶治疗;组3,单用纳米级甲壳素溶液。伤后3、7、14、21和28 d分别解剖观察,并取标本做光镜学和电镜学观察;同时进行肌动蛋白和肌钙蛋白相对定量分析。临床应用65例:实行同体对照,一侧肢体(试验组)应用含有纳米银凝胶的纱布覆盖烧伤创面,另一侧(对照组)应用磺胺嘧啶银纱布。观察创面细菌培养结果和创面愈合时间。结果实验第3、7和14天,组1和组2肌动蛋白相对定量无显著差异,但在21 d和28 d,组1和组2肌动蛋白相对定量差异有统计学意义(P<0.05),而组1和组2肌钙蛋白相对定量无显著差异。临床观察结果:在65例患者130例次细菌培养结果中,试验组创面培养均为阴性,对照组有15例次阳性;试验组创面愈合时间为(17±5.8)d,对照组为(22±6.3)d,两组差异具有统计学意义(P<0.05)。65例患者均未见不良反应。结论复合纳米银凝胶具有防止感染,促进烧伤创面修复作用。

VSD持续负压灌洗、引流在高压电损伤治疗中的应用

目的观察负压吸引技术(VSD)持续负压灌洗、引流对高压电损伤创面修复的影响。方法将56个上肢受伤部位患者(35例高压电损伤患者)按不同的治疗方法分为2组:试验组和对照组,每组28个部位。对照组患者采用全身及局部治疗;试验组在对照组全身和局部治疗的基础上采用VSD持续负压灌洗、引流1～3周,7d更换1次新的VSD敷料,术后1～3周拆除负压吸引装置。观察2组患者创面肉芽生长情况,再根据创面情况选择皮片或皮瓣封闭创面。结果试验组在清创治疗后,后期覆盖创面,其中植皮为14个部位,腹部带蒂皮瓣为14个部位;对照组在清创治疗后,后期覆盖创面,其中植皮为14个部位,腹部带蒂皮瓣为14个部位。试验组创面肉芽生长快,皮片或皮瓣覆盖后愈合快;对照组创面肉芽生长相对较慢。试验组皮片、皮瓣成活率均为100.0%,均明显高于对照组的85.7%、92.9%(均P<0.05),试验组皮片、皮瓣移植患者的住院时间分别为(42.5±2.2)、(58.3±4.3)d,均明显低于对照组的(49.4±2.1)、(62.3±4.2)d(均P<0.05)。结论 VSD持续负压灌洗、引流能明显地改善高压电损伤肉芽生长创面情况,为进一步封闭创面提供了良好的条件,提高了皮片或皮瓣修复创面的成功率,明显缩短了住院时间。

GaN HEMT的温度特性及其应用

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。

Ku波段20W GaN功率MMIC

报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。

烧伤复合肺爆震伤(附21例报告)

目的 :探讨此类复合损伤的临床特点及总结诊疗中的经验教训。方法 :对 2 1例病人的临床表现、治疗措施及疗效进行归纳分析。结果 :治愈 11例 ,死亡 10例 ,其中死于肺部并发症 4例 ,死于体表烧伤所致其他并发症 6例。结论 :该种复合性损伤早期呼吸系统大多无明显症状和体症 ,一旦出现病情进展快 ,以吸气性呼吸困难、低氧血症和肺实质弥漫性出血为特点 。

胚胎不同发育阶段人类皮肤及附属器官汗腺的基因表达

背景:关于汗腺的发生与发育过程及汗腺损伤与再生之间的联系尚缺乏基因水平的证据,故各种原因所致的皮肤损伤都不能达到解剖结构与生理功能的完全修复。目的:观察胚胎不同发育阶段皮肤组织的形态结构及皮肤附属器汗腺的发生和发育规律,寻找在汗腺发育中起重要作用的相关基因。方法:13例胎龄为12-36周终止妊娠的胎儿,由深圳市第二人民医院妇产科严格遵循伦理原则、征得家属同意并签署合同书后提供。苏木精-伊红染色和ABC免疫组化法观察不同发育阶段人类胎儿皮肤组织及附属汗腺的结构和特征,采用RT-PCR方法分析生长发育过程中人类胎儿皮肤及汗腺附属器官相关基因的表达。结果与结论:①不同胎龄的人类胎儿皮肤组织结构呈现规律性的变化,可大致划分为3个发育阶段:其中汗腺形成初期(胚芽或原基期)(E12-15周)、汗腺形成中期(E16-24周),汗腺成熟期(E25+-36周)。②胎儿皮肤组织内的汗腺细胞中表达角蛋白7、角蛋白8、角蛋白18和癌胚抗原生物分子标记,而在真皮层和表皮层的其他细胞呈阴性反应,角蛋白19不是表皮干细胞的特异性标记物。③表皮生长因子及其受体积极地参与了皮肤及汗腺的形态发生过程,在皮肤及汗腺的功能维持中起着重要的作用。

皮瓣移植修复深度烧伤

自1991年至今应用15种皮瓣117块修复各种深度烧伤92例，均获成功，收到了比较满意的效果。所移植的皮瓣以轴型血管皮瓣移位为主，此种皮瓣因有知名动脉供血，若蒂部无张力，不受压，血供有保障，易成活。