SiO_2全封闭的硅量子线列阵

采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．

蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。

SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究

本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180keV，剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层．由此，我们系统研究了多晶GeSi非晶化后的再结晶性质，认为Ge在再结晶过程中可能起了的诱导晶化作用；首次观察到GeSi晶粒的纵向生长行为；得到的GeSi晶粒大于同样条件下得到的多晶Si晶粒．本项研究为多晶GeSi在高速TFT器件及其它高速器件中的应用奠定了基础，并为制备GeSi量子线结构提供了一条可能的途径．

Ge_xSi_(1-x)/Si(100)应变超晶格高分辨电镜研究

本文用高分辨电镜(HREM)技术研究了在较高温度下生长的Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)和Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中截面高分辨象。结果表明,晶格失配造成超晶格中较薄的子层,即合金层中弹性应变,在Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变与四方畸变结果相近,在Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变不均匀,使{111}晶面取向局部偏离无法观察到完整清晰的晶格象.Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格计算模拟与观察结果比较发现,超晶格界面附近存在互扩散.

纳米硅薄膜的研制

使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.

非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析

使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微结构的认识。