钛阳极氧化膜的半导体特性及腐蚀行为

目前,国内外还鲜见有关金属钛阳极氧化膜半导体特性与腐蚀行为的报道。采用极化曲线、交流阻抗和Mott-Schottky曲线研究了TA2硫酸和磷酸阳极氧化膜的腐蚀性能和半导体特性。结果表明:在1%NaCl溶液中,钛阳极氧化膜的自腐蚀电位升高,自腐蚀电流密度降低,耐蚀性能提高;氧化电压对氧化膜的厚度有较大影响;磷酸阳极氧化膜在低频区阻抗更大;2种阳极氧化膜都是n型半导体,磷酸阳极氧化膜的载流子密度较小,平带电位更负。

铜表面硬脂酸自组装膜的制备及耐腐蚀性能

应用自组装技术在Cu(OH)2纳米柱/CuO微花阶层结构表面制备硬脂酸自组装膜(SAM),运用电化学阻抗谱探讨了形成自组装膜的较佳浓度和自组装时间,通过极化曲线和循环伏安法考察了硬脂酸自组装膜在0.1mol/LNaCl溶液中对铜电极的缓蚀性能。结果表明,当CuO/Cu(OH)2电极在8mmol/L硬脂酸溶液中自组装24h时,得到的硬脂酸自组装膜能显著提高铜电极的耐蚀性;与裸铜电极相比,SAM-CuO/Cu(OH)2电极的腐蚀电流降低了2个数量级,缓蚀效率达到98.81%。

黄铜表面硅烷自组装膜在氯化钠溶液中的耐蚀性

采用自组装技术在黄铜表面分别制备γ-巯基丙基三甲氧基硅烷(PropS-SH)、十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)、氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)和γ-氯丙基三甲氧基硅烷(CPTMS)自组装膜,并分别采用电化学极化法、接触角测试和傅里叶红外光谱研究硅烷膜的耐蚀性、疏水性和结构。结果表明:经PropS-SH、DTMS和CPTMS硅烷化处理后,黄铜的耐蚀性均有提高。PropS-SH在黄铜表面形成化学吸附,同时Si─O─Si以交联形式形成硅烷膜,阻碍了溶解氧向电极表面扩散,故耐蚀性最优,黄铜经PropS-SH硅烷化后,在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的腐蚀电流密度为0.2μA/cm2,缓蚀效率达到97.4%。

钛片电化学抛光工艺及耐蚀性研究

以含氯离子的乙二醇溶液为抛光液,研究了槽压、温度、时间对钛片表面电化学抛光效果的影响,得到电化学抛光的最佳工艺为:槽压30V,温度50°C,时间180s。采用扫描电镜、Tafel极化曲线及表面粗糙度测试等方法,研究了电化学抛光后钛片的表面形貌、耐蚀性、粗糙度等性能,同时与传统的机械抛光及化学抛光方法进行了比较。结果表明,该工艺抛光效果优于传统抛光方法,经电化学抛光处理后的钛片,维钝电流密度和腐蚀电流密度均降至最低,耐蚀性能最优。

低热膨胀聚酰亚胺薄膜的研究进展与展望

聚酰亚胺是一种很有发展前途的高分子材料,热膨胀系数高的问题限制了聚酰亚胺的应用,降低热膨胀系数已成为聚酰亚胺研究热点之一。本文概述了国内外关于降低聚酰亚胺薄膜热膨胀系数的主要方法:分子结构设计法、共聚法、树脂共混法、添加纳米粒子法。阐述了工艺因素(如涂膜方式、牵伸条件等)对聚酰亚胺热膨胀系数的影响,并对未来低热膨胀系数聚酰亚胺薄膜的发展方向进行了展望。