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用于高密度三维集成的TSV设计
1
作者
乔靖评
贾士奇
+7 位作者
刘瑞文
焦斌斌
陈静宇
孔延梅
叶雨欣
杜向斌
云世昌
余立航
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第11期1857-1862,共6页
三维集成技术的发展需要高密度和高深宽比的硅通孔(TSV)阵列。由于TSV填充材料与TSV衬底材料之间的热膨胀系数不匹配,TSV在使用或加工过程中会出现严重的热应力问题,造成器件失效甚至是晶圆损坏。设计了一种具有低热应力和高深宽比的中...
三维集成技术的发展需要高密度和高深宽比的硅通孔(TSV)阵列。由于TSV填充材料与TSV衬底材料之间的热膨胀系数不匹配,TSV在使用或加工过程中会出现严重的热应力问题,造成器件失效甚至是晶圆损坏。设计了一种具有低热应力和高深宽比的中空TSV。单个TSV呈现橄榄球形状,TSV中部直径最大,其次是顶部的直径,最小的是底部直径。采用金属钨进行空心填充,因为钨的热膨胀系数与硅衬底的更匹配。当出现热失配时,空心填充使得空心结构为填充金属与硅的热膨胀提供了缓冲空间,能够大幅度减小TSV衬底所受到的热应力。仿真结果表明沿着TSV轴向方向和径向方向,热应力分别减小了62.4%和60.5%。基于设计的TSV结构,开发了一套基于8英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆的工艺流程,成功实现了1600/mm^(2)超高密度阵列的加工制作,能够应用于高密度三维集成。
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关键词
硅通孔(TSV)
三维集成
热应力
高密度
高深宽比
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职称材料
题名
用于高密度三维集成的TSV设计
1
作者
乔靖评
贾士奇
刘瑞文
焦斌斌
陈静宇
孔延梅
叶雨欣
杜向斌
云世昌
余立航
机构
中国科学院微电子研究所新技术开发部微系统技术实验室
中国科学院大学集成电路学院
西交利物浦大学智能工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第11期1857-1862,共6页
基金
国家重点研发计划(2021YFB2011700)。
文摘
三维集成技术的发展需要高密度和高深宽比的硅通孔(TSV)阵列。由于TSV填充材料与TSV衬底材料之间的热膨胀系数不匹配,TSV在使用或加工过程中会出现严重的热应力问题,造成器件失效甚至是晶圆损坏。设计了一种具有低热应力和高深宽比的中空TSV。单个TSV呈现橄榄球形状,TSV中部直径最大,其次是顶部的直径,最小的是底部直径。采用金属钨进行空心填充,因为钨的热膨胀系数与硅衬底的更匹配。当出现热失配时,空心填充使得空心结构为填充金属与硅的热膨胀提供了缓冲空间,能够大幅度减小TSV衬底所受到的热应力。仿真结果表明沿着TSV轴向方向和径向方向,热应力分别减小了62.4%和60.5%。基于设计的TSV结构,开发了一套基于8英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆的工艺流程,成功实现了1600/mm^(2)超高密度阵列的加工制作,能够应用于高密度三维集成。
关键词
硅通孔(TSV)
三维集成
热应力
高密度
高深宽比
Keywords
through-silicon via(TSV)
3D integration
thermal stress
high-density
high aspect ratio
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于高密度三维集成的TSV设计
乔靖评
贾士奇
刘瑞文
焦斌斌
陈静宇
孔延梅
叶雨欣
杜向斌
云世昌
余立航
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
0
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