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透明导电材料研究进展
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作者 张聪 梁柄权 +4 位作者 王晓峰 陈新亮 侯国付 赵颖 张晓丹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期72-84,共13页
近年来,透明导电材料(Transparent conductive materials, TCM)作为触摸屏、液晶显示器(LCD)、智能窗、太阳电池(Solar cells)、发光二极管(LED)等先进光电子器件中的关键组件,其作用尤其重要。氧化铟锡(ITO)薄膜具有优异的光学和电学性... 近年来,透明导电材料(Transparent conductive materials, TCM)作为触摸屏、液晶显示器(LCD)、智能窗、太阳电池(Solar cells)、发光二极管(LED)等先进光电子器件中的关键组件,其作用尤其重要。氧化铟锡(ITO)薄膜具有优异的光学和电学性能,是光电器件中应用广泛的透明导电材料。然而,铟元素的稀缺性、易碎性以及沉积过程中对底层薄膜的潜在损坏限制了其在未来新型光电子器件中的应用。开发适应高性能光电器件应用的TCM成为当前研究的重点。本文综述了透明导电氧化物、超薄金属和金属网格、介质层/金属/介质层(Dielectric/metal/dielectric, DMD)、碳纳米管和石墨烯等类型的TCM光电性能、应用领域、近年来相应的研究策略和重要成果、面临的挑战以及未来发展方向。 展开更多
关键词 透明导电材料 透明导电氧化物 超薄金属和金属网格 纳米材料
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Enhanced stability of FA-based perovskite:Rare-earth metal compound EuBr_(2) doping
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作者 候敏娜 郭旭 +6 位作者 韩梅斗雪 赵均陶 王志元 丁毅 侯国付 张宗胜 韩小平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期669-675,共7页
It is highly desirable to enhance the long-term stability of perovskite solar cells(PSCs)so that this class of photovoltaic cells can be effectively used for the commercialization purposes.In this contribution,attempt... It is highly desirable to enhance the long-term stability of perovskite solar cells(PSCs)so that this class of photovoltaic cells can be effectively used for the commercialization purposes.In this contribution,attempts have been made to use the two-step sequential method to dope EuBr_(2)into FAMAPbI_(3)perovskite to promote the stability.It is shown that the device durability at 85℃in air with RH of 20%-40%is improved substantially,and simultaneously the champion device efficiency of 23.04%is achieved.The enhancement in stability is attributed to two points:(ⅰ)EuBr_(2)doping effectively inhibits the decomposition andα-δphase transition of perovskite under ambient environment,and(ⅱ)EuBr_(2)aggregates in the oxidized format of Eu(BrO_(3))_(3)at perovskite grain boundaries and surface,hampering humidity erosion and mitigates degradation through coordination with H_(2)O. 展开更多
关键词 EuBr_(2) doping inhibited phase transition and decomposition STABILITY perovskite solar cell
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宽带可调谐掺Yb^(3+)双包层光纤激光器的研究 被引量:10
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作者 侯国付 李乙钢 +5 位作者 吕可诚 迟荣华 陈胜平 盛秋琴 宁鼎 董孝义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1510-1513,共4页
利用闪耀光栅构成可调谐Littrow外腔 ,对掺Yb3+双包层光纤激光器的波长调谐输出进行了实验研究 激光调谐输出波长范围 70nm 针对光纤内的双折射效应对激光的输出功率的影响 ,实验中使用了在线光纤偏振控制器 ,从而有效地减小了调谐曲... 利用闪耀光栅构成可调谐Littrow外腔 ,对掺Yb3+双包层光纤激光器的波长调谐输出进行了实验研究 激光调谐输出波长范围 70nm 针对光纤内的双折射效应对激光的输出功率的影响 ,实验中使用了在线光纤偏振控制器 ,从而有效地减小了调谐曲线的起伏及其与荧光谱的差别 ,并得到了窄线宽、线偏振。 展开更多
关键词 宽带可调谐 掺YB^3+ 双包层光纤 光纤激光器 偏振控制器 镱掺杂
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掺稀土元素光纤超荧光光源 被引量:7
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作者 侯国付 李乙钢 +2 位作者 付成鹏 吕福云 吕可诚 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期17-20,共4页
本文介绍了超荧光光纤光源的基本原理、基本结构和研究进展。报道了我们研制的大功率掺Yb3 +
关键词 超荧光 超荧光光纤光源 自发辐射 稀土掺杂光纤
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采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料 被引量:8
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作者 侯国付 薛俊明 +5 位作者 袁育杰 张德坤 孙建 张建军 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期85-88,共4页
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗... 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。 展开更多
关键词 p型微晶硅 高压RF-PECVD 太阳电池
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电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响 被引量:4
6
作者 侯国付 郭群超 +4 位作者 任慧志 张晓丹 薛俊明 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1353-1358,共6页
在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400~500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均... 在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400~500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%.等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度.文中对实验结果进行了详细的讨论. 展开更多
关键词 网状电极 硅薄膜 均匀性 等离子体的发光光谱
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直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜 被引量:4
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作者 侯国付 郁操 +1 位作者 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期861-865,共5页
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS... 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。 展开更多
关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 Fe—Si组合靶 太阳电池
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高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)
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作者 侯国付 郭群超 +7 位作者 王岩 薛俊明 任慧志 宋建 张晓丹 赵颖 耿新华 李以钢 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期999-1005,共7页
本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使... 本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。 展开更多
关键词 微晶硅 太阳电池 高压 氧施主掺杂
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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究 被引量:14
9
作者 张晓丹 朱锋 +8 位作者 赵颖 侯国付 魏长春 孙建 张德坤 任慧志 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ; 展开更多
关键词 VHF-PECVD 制备方法 气压 μc-Si:H 薄膜 微晶硅材料 太阳能电池 光致衰退效应 SWE
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薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究 被引量:22
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作者 薛俊明 麦耀华 +6 位作者 赵颖 张德坤 韩建超 侯国付 朱锋 张晓丹 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期166-169,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配,以及氧化锌/金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1.0 cm2效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池。 展开更多
关键词 叠层电池 微晶硅 非晶硅
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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析 被引量:6
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作者 张晓丹 高艳涛 +9 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期56-59,64,共5页
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。 展开更多
关键词 硅材料 硅薄膜 VHF-PECVD 有源层 微晶 晶向 电学特性 度条件 因子 不稳定性
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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量:5
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作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多
关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果
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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量:5
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作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页
本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多
关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-PECVD 有源层 纳米硅
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退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响 被引量:9
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作者 郁操 侯国付 +3 位作者 刘芳 孙建 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期662-665,676,共5页
本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800℃。而且... 本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800℃。而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多。在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2,Voc=0.21V,FF=0.23,η=0.38%。 展开更多
关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 退火温度 异质结太阳电池
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池 被引量:7
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作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙健 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期952-957,共6页
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料... 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池
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辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响(英文) 被引量:4
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作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期662-666,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的 ;另外 ,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。 展开更多
关键词 辉光功率 VHF-PECVD方法 制备 硅基薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 过渡区 微区喇曼光谱 扫描电子显微镜
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用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响 被引量:4
17
作者 薛俊明 侯国付 +4 位作者 王雅欣 段苓伟 刘丽杰 赵颖 耿新华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期426-429,共4页
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时... 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。 展开更多
关键词 中频脉冲 ZnO∶Al透明导电膜 磁控溅射 靶电压
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用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜 被引量:2
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作者 薛俊明 侯国付 +5 位作者 王凯杰 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1227-1232,共6页
首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作... 首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进行了研究。结果表明:在本文所研究的范围内,适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性,而功率的变化对均匀性影响不大;在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率;从薄膜的质量来说,气压低时较好,而功率则应适当选择。通过优化沉积条件,我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23×24cm^2,厚度不均匀性为±1.4%,最高沉积速率达10.5/s,光敏性最大为2.25×10~5的a-Si:H薄膜材料。 展开更多
关键词 VHF-PECVD 硅基薄膜 大面积均匀性 电源馈入方式
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低温沉积硅薄膜电池及其在塑料衬底上的应用 被引量:2
19
作者 倪牮 薛俊明 +5 位作者 赵鹏 张建军 袁育杰 侯国付 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期40-44,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响。在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响。在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备出效率达到6.8%和3.9%的单结非晶硅电池。在PET衬底上,将低温沉积非晶硅电池的技术应用于的叠层电池的顶电池,制备出效率为4.6%的非晶/微晶硅叠层电池。 展开更多
关键词 低温沉积 硅薄膜太阳电池 塑料衬底 柔性电池
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电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响 被引量:2
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作者 孙建 薛俊明 +4 位作者 侯国付 王锐 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期152-156,共5页
本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增... 本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。 展开更多
关键词 电阻蒸发 Al背电极 非晶硅太阳电池
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