功率型双基区晶体管（DUBAT）的研制及其初步应用

本文在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ＿（ＣＥＯ）≥１２０Ｖ，Ｉ＿（ＣＭ）≥２Ａ，Ｒ＿Ｎ：５０～１１０Ω，Ｐ＿（ＣＭ）≥１５Ｗ。并将此器件初步应用于列车用荧光灯管电路。