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氧化铝模板法制备Ge纳米线
被引量:
9
1
作者
叶好华
叶志镇
+4 位作者
黄靖云
吴贵斌
赵炳辉
涂江平
侯山昆
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期173-176,共4页
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径...
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .
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关键词
Ge纳米线
氧化铝模板
低压化学气相沉积
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职称材料
题名
氧化铝模板法制备Ge纳米线
被引量:
9
1
作者
叶好华
叶志镇
黄靖云
吴贵斌
赵炳辉
涂江平
侯山昆
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
浙江大学材料系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期173-176,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目~~
文摘
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .
关键词
Ge纳米线
氧化铝模板
低压化学气相沉积
Keywords
Ge nanowires
porous alumina template
low pressure chemical vapor deposition
vapor liquid solid mechanism
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化铝模板法制备Ge纳米线
叶好华
叶志镇
黄靖云
吴贵斌
赵炳辉
涂江平
侯山昆
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
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