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光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料
1
作者
侯庄
苏九令
+1 位作者
王昌平
屈逢源
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第4期374-376,共3页
转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人...
转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人用光致发光法研究GaAs材料性质.本文报道用光致发光法在线检测转移电子器件材料质量.测量结果表明,电学参数测量符合要求时,制备转移电子器件成品率较低的n-GaAs外延片中存在较高浓度的施主杂质与Ga空位的络合物.
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关键词
光致发光法
转移电子器件
GAAS单晶
下载PDF
职称材料
题名
光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料
1
作者
侯庄
苏九令
王昌平
屈逢源
机构
复旦大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第4期374-376,共3页
文摘
转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人用光致发光法研究GaAs材料性质.本文报道用光致发光法在线检测转移电子器件材料质量.测量结果表明,电学参数测量符合要求时,制备转移电子器件成品率较低的n-GaAs外延片中存在较高浓度的施主杂质与Ga空位的络合物.
关键词
光致发光法
转移电子器件
GAAS单晶
分类号
TN61 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光致发光法检测用于转移电子器件的GaAs材料
侯庄
苏九令
王昌平
屈逢源
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989
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