一体化变黏滑溜水在江苏油田的应用

通过对减阻剂浓度、防膨剂浓度和助排剂浓度的优化研究,形成非交联体系中高黏滑溜水配方为0.10%~0.30%减阻剂+0.20%防膨剂+0.10%助排剂和低黏滑溜水配方为0.08%~0.10%减阻剂+0.10%防膨剂。此外对低中高黏滑溜水进行了携砂、降阻、破胶、岩心伤害性能系统性评价,并在X平台三口致密油井和HZ区块五口页岩油井进行了现场试验,应用效果良好。

MQ油田油井出砂原因分析与防砂对策研究

从地质因素、完井因素和生产因素等多角度分析了MQ油田出砂原因,对防砂治砂措施进行系统分类,重点介绍了形状记忆筛管防砂技术,科学分析防砂措施效果。现场试验表明:形状记忆筛管可以有效控制油井出砂,油井每米采液指数提高0.32m²/d/m,具有较好的应用前景。

江苏某油田渗吸洗油剂性能评价

针对江苏油田低渗特低渗储层特征,采用江苏油田现场原油作为实验用油,采用去离子水作为实验模拟水,通过室内岩心模拟驱油实验研究,评价了VES(黏弹性)表面活性剂洗油剂、纳米洗油剂1#以及纳米洗油剂2#三种渗吸洗油剂驱油性能。结果表明,三种渗吸洗油剂在低渗条件下具有良好的驱油性,采收率提高均高于6.99%,综合考虑多种因素,VES表面活性剂洗油剂驱油效果最佳,而纳米洗油剂1#在毛管渗吸排油阶段的驱油效果最好。

大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征

采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。

温度对碳化硅粉料合成的影响

采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。

退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究

通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。

近年退役士兵培训研究内容的数据统计与评析

运用统计分析方法从有关退役士兵培训研究资料中研究发现,关于退役士兵培训研究内容主要涉及退役士兵学员特性分析、宣传、教学、管理、心理、就业等几个方面,其中,教学在退役士兵培训中占有非常重要的位置,有必要作重点研究探索。虽然退役士兵培训研究内容基本涉及各个环节,也有创新观点,但缺乏更具广度和深度的研究,有待进一步推进发展。

山东省工业设计行业发展策略的研究

本文通过对山东省工业设计行业发展策略的研究,总结了该行业的发展需要结合山东省经济发展的特点进行,同时提出了限制规模的发展理念,并深入探讨了自身知识产权保护和他人知识产权保护在发展中的重要性。

波浪能海上试验平台的设计可行性研究

实海况试验是波浪能装置从工程样机走向规模产业化应用的关键环节,我国波浪能海上试验与测试场建设方面仍处于是空白阶段,已成为制约我国波浪能技术成果转化的瓶颈。建设公益性的波浪能海上试验与测试场,是解决这一问题的最有效途径,海上波浪能装置搭载平台的设计也是迫在眉睫。

介孔硅基材料在吸附领域的研究进展

以介孔二氧化硅和改性介孔硅基材料为主,对其在吸附领域的目前研究状况进行综述。首先,论述了介孔硅基材料中碱性体系合成的具代表性的材料在吸附染料和重金属离子领域的应用现状,探究初始染料浓度、吸附剂加入量、吸附时间、pH、温度等外部影响因素和改性基团种类以及其引入量内部因素对吸附的影响。其次,阐述了在酸性体系合成的介孔二氧化硅及其改性材料吸附去除染料和重金属离子的研究成果。最后,总结现阶段研究成果中存在的不足并对该类材料在将来的合成及发展趋势进行了展望。

PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀。但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下降。电阻率的分布与背景B和Al含量相关,随着C/Si的升高,生长台阶的降低,电阻率升高。通过调整温场和优化掺氮工艺,获得了结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。

n型4H-SiC单晶生长工艺研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径、掺氮量对晶体结晶质量的影响。实验结果表明:生长温度过低或过高会引入多型;冷却孔过大会使晶体产生较大的热应力,导致晶体开裂;掺入较多的氮使SiC晶格畸变。通过调整温场、优化掺氮工艺,获得了生长n型4H-SiC单晶的工艺条件,生长出结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。

有机基团改性介孔硅基材料的研究进展

介绍了有机基团改性介孔硅基材料的种类及研究现状。经不同有机基团改性后,材料的活性位点增多,亲疏水性能改变以及水热稳定性增加,使其在吸附、医疗以及建筑领域有着广泛的应用。详细介绍了其在吸附重金属离子,染料分子,气体分子以及阴离子中的应用,同时介绍了经有机基团改性后材料接触角改变在古建筑保护和油水分离方面的应用。并对目前研究中存在的问题进行总结并对该杂化材料的发展趋势进行了展望。

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。

关于农村地区中小企业金融创新的几点思考

中小企业是适合农村地区生产力发展状况需要的企业组织形式,金融机构应要针对农村地区中小企业的资金需求,加大金融产品创新,着力解决"担保难、贷款难"的问题,精简优化业务操作流程,突破担保方式,创新还款手段,有效解决农村贷款"金额小、笔数多、时间急"的实际问题。

浅谈黄河泥沙的开采和有效利用

黄河泥沙危害严重,但同时也是一种可以广泛利用的资源,兼具灾害性和资源性的双重属性。近几年,黄河泥沙作为一种特殊的自然资源,其利用价值逐步得到了认可和研究。在不影响河势和防洪安全的前提下,通过在规划指定的可采期、可采区进行河道采砂,不仅在一定程度上起到减少河道淤积、降低河床高程的作用,而且开采出的泥沙作为替代资源可供应建筑市场和制作用大块石用于抢险和工程管理,因而具有较好的社会效益、经济效益和减淤效益。

坩埚在线圈中位置对大直径SiC单晶温度场影响

利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的影响。分析比较了生长腔内径向温度梯度以及轴向温度梯度的变化规律以及坩埚内部整体温度场的分布规律。以此为依据,优化了坩埚设计,获得了理想的适合大直径SiC单晶生长的温场,并成功生长出高质量的7.62cm SiC单晶。

N型4H-SiC表面改性及性能研究

研究了在N型4H-SiC的表面上引入炔基来提高表面的固定密度和稳定性的方法。炔基的引入可以为DNA探针在碳化硅表面固定做好铺垫,从而改善碳化硅表面生物活性,为制备碳化硅基生物传感器具有一定指导意义。