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基于微惯性传感器的高灵敏度随动控制技术
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作者 张天 靳舒馨 +6 位作者 王强 段晓波 刘铁成 牛海涛 侯曾 杨毅 刘彤 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期566-576,共11页
目前的随动控制装备因难以满足传感器与执行器对实时性、准确性与稳定性需求,出现控制延迟大、执行精度低等问题,极大地限制了随动控制装备应用空间。针对上述问题,提出一种基于微惯性器件与模糊控制云台的低延迟高精度随动控制技术。... 目前的随动控制装备因难以满足传感器与执行器对实时性、准确性与稳定性需求,出现控制延迟大、执行精度低等问题,极大地限制了随动控制装备应用空间。针对上述问题,提出一种基于微惯性器件与模糊控制云台的低延迟高精度随动控制技术。该技术使用微机电系统惯性测量单元(MEMS IMU)获取高灵敏度体感姿态数据,并使用该姿态数据对双轴云台进行实时高精度随动控制。相对于传统技术手段,本研究通过传感器的实时采集算法改进与云台的高频位置闭环模糊PID控制设计,用低成本实现了低延迟高精度随动控制功能。实测结果表明,系统在连续动作命令发出后88.17 ms时间内达到了1.478°(1σ)的云台位置响应精度,可满足高灵敏度随动控制需求;新技术适用于无人机控制与观察、车载雷达与武器站控制等领域,可大幅度降低设备操控复杂度,提升控制特性。 展开更多
关键词 微惯性传感器 随动控制 互补滤波 模糊控制
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功率双基区晶体管(DUBAT)及其压(流)控调频效应 被引量:4
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作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 侯曾 郑爱林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期310-316,共7页
在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上,设计并研制出功率型DUBAT。其主要参数达到:BV(CE0)≥120V,I(CM)≥2A,RN≈50~110Ω,P(CM)≥10W。并在此器件上首次发现了电压(流)控制... 在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上,设计并研制出功率型DUBAT。其主要参数达到:BV(CE0)≥120V,I(CM)≥2A,RN≈50~110Ω,P(CM)≥10W。并在此器件上首次发现了电压(流)控制调节脉冲频率效应。 展开更多
关键词 双基区晶体管 负阻器件 电压控制 电流控制 调频
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