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气体放电实验与帕邢定律 被引量:17
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作者 侯清润 茅卫红 陈宜保 《物理实验》 北大核心 2004年第1期3-4,8,共3页
利用真空镀膜机的离子轰击装置研究了气体放电电压与气体压力的关系 .在保持气体放电电流不变的情况下 ,气体放电电压是气体压力的函数 .改变气体压力时 ,放电电压有一极小值 .
关键词 帕邢定律 气体放电 真空镀膜 离子轰击 放电电压 气体压力 真空电子学
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磁场对光轴运信号的影响 被引量:9
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作者 侯清润 曾 蓓 +2 位作者 张薇薇 张慧云 陈 宏 《物理实验》 北大核心 2001年第12期9-12,共4页
摘 要;在做光泵磁共振实验时,分别研究了竖直线圈和水平线圈产生的磁场对光抽运信号的影响.并做出了它们之间的关系曲线.由此曲线计算了北京地磁场的垂直分量为(0. 0881±0·0015)×10-4T ,估算出北京地磁场的水平分... 摘 要;在做光泵磁共振实验时,分别研究了竖直线圈和水平线圈产生的磁场对光抽运信号的影响.并做出了它们之间的关系曲线.由此曲线计算了北京地磁场的垂直分量为(0. 0881±0·0015)×10-4T ,估算出北京地磁场的水平分量约为 0.425 ×10-4T.同时,这项工作对于区分光抽运信号和磁共振吸收信号也有一定的帮助. 展开更多
关键词 光抽运信号 磁场 磁共振吸收信号 光泵磁共振实验
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光泵磁共振实验中测量地磁场水平分量的方法 被引量:11
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作者 侯清润 王钧炎 +1 位作者 王天时 陈宜保 《物理与工程》 2007年第3期35-38,共4页
基于光泵磁共振实验过程中光抽运信号和磁共振信号出现的条件,阐述了3种测量地磁场水平分量的方法.通过实验,验证了用这3种方法所得到的测量结果是一致的.这项工作对于理解光抽运信号和磁共振吸收信号有一定帮助.
关键词 光抽运 磁共振 磁场
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PN结对交流信号相位的影响(续) 被引量:1
4
作者 侯清润 张慧云 +6 位作者 王波 纵保金 陈宜保 茅卫红 王钧炎 李文茜 曹双僖 《物理实验》 2005年第11期34-36,共3页
当1个交流小信号被1个PN结和1个大电容分压,且该电容的电容值远大于PN结电容时,大电容两端的电压与PN结电容成正比,该信号的相位与PN结的电阻以及信号的频率有关.把PN结当作1个电容和1个电阻并联,可定性解释该信号的相位与PN结正向电阻... 当1个交流小信号被1个PN结和1个大电容分压,且该电容的电容值远大于PN结电容时,大电容两端的电压与PN结电容成正比,该信号的相位与PN结的电阻以及信号的频率有关.把PN结当作1个电容和1个电阻并联,可定性解释该信号的相位与PN结正向电阻、与加在PN结两端的直流反向偏压、在零直流偏压下与交流信号频率的关系. 展开更多
关键词 PN结电容 PN结电阻 交流信号相位
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PN结对交流信号相位的影响 被引量:5
5
作者 茅卫红 侯清润 +3 位作者 陈宜保 张慧云 陈宏 何元金 《物理实验》 北大核心 2003年第8期6-8,12,共4页
交流小信号被 PN结和电容分压 ,且电容值远远大于 PN结电容值时 ,大电容两端的电压是很小的交变电压 ,该信号的相位与 PN结的内阻 (正向 )有关 .把 PN结当做一个电容和一个电阻并联 。
关键词 PN结 交流信号 相位 电容分压 电容值 交变电压 半导体
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MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展 被引量:1
6
作者 赵伟 侯清润 +1 位作者 陈宜保 何元金 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期539-546,共8页
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备... 本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。 展开更多
关键词 MnSi1.7半导体薄膜 温差发电 综述 红外探测器 掺杂 纳米尺寸
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半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量 被引量:1
7
作者 赵伟 侯清润 +1 位作者 陈宜保 何元金 《物理与工程》 2007年第1期26-30,共5页
本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂... 本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂质导电区,可以确定晶格散射因子;在本征导电区,可以确定硅的禁带宽度. 展开更多
关键词 半导体硅 SEEBECK系数 电阻率
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溶质扩散法在三元晶体生长中之应用
8
作者 侯清润 王金义 +2 位作者 邓金程 李美荣 陶峰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期36-38,共3页
本文对溶质扩散法在三元晶体生长中的应用进行了综述。并着重介绍了Cd1-xZnxTe晶体生长取得的最新实验结果和理论上的处理,指出该理论模型以及生产高X值的Cd1-xZnxTe晶体的实验仍处于初始阶段。
关键词 溶质扩散法 三元晶体生长 CDZNTE
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长波碲镉汞材料的低温退火
9
作者 王金义 杜冰 +2 位作者 邓金程 侯清润 李美荣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-47,共4页
本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件,根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验,取得了满意的结果。对于0.7mm厚的样品,190~220℃下汞饱和等温退火50~6... 本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件,根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验,取得了满意的结果。对于0.7mm厚的样品,190~220℃下汞饱和等温退火50~60天可获得电学性能优良的n型材料。77K下载流子浓度n<5×1014cm-3,载流子迁移率μ>1×105cm2/V·S,少子寿命τ>1μs。 展开更多
关键词 碲镉汞 退火 低温
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PN结电容与正向直流偏压的关系 被引量:5
10
作者 樊启勇 侯清润 《物理与工程》 2009年第1期13-16,共4页
半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的... 半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系. 展开更多
关键词 PN结电容 正向直流偏压 扩散电容 势垒电容 交流信号相位
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Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长技术进展 被引量:1
11
作者 侯清润 陈纪安 +1 位作者 赵乐敏 张新敏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期36-39,共4页
介绍了Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长国外新进展和国内研究动态。指出Cd(1-x)Zn_xTe晶体研究正在向大面积单晶,组分和结构高均匀性。
关键词 布里奇曼方法 晶体生长 红外探测器
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Characterization and Application of Diamond-like Carbon Films
12
作者 侯清润 高炬 +1 位作者 杨晔 迟宁 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第3期48-53,共6页
Diamond like carbon films were synthesized by the pulsed laser deposition method under a magnetic filed. The magnetic field was used to enhance the hardness of the films. Analysis with transmission electron microscop... Diamond like carbon films were synthesized by the pulsed laser deposition method under a magnetic filed. The magnetic field was used to enhance the hardness of the films. Analysis with transmission electron microscopy and atomic force microscopy were carried out to characterize the films. As a protective coating, the film was deposited on porous silicon. The influence of the coating on the photoluminescence properties of porous silicon was studied. 展开更多
关键词 Diamond like carbon films TEM AFM porous silicon PHOTOLUMINESCENCE
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Vertical Gradient Freezing Growth of HgCdTe
13
作者 侯清润 王金义 +3 位作者 邓金诚 杜冰 李美容 常米 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第4期258-261,共4页
Vertical gradient freezing (VGF) growth of Hg1-xCdxTe (x=0.19) was studied. Porosity can be eliminated by adjusting temperature program of growth. As expected, subgrain boundaries and etch pit densities can be reduced... Vertical gradient freezing (VGF) growth of Hg1-xCdxTe (x=0.19) was studied. Porosity can be eliminated by adjusting temperature program of growth. As expected, subgrain boundaries and etch pit densities can be reduced considerably if low temperature gradient is used. 展开更多
关键词 CADMIUM FREEZING Mercury (metal) POROSITY TELLURIUM
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Pulsed Laser Deposition of Boron Carbon Nitride Coatings
14
作者 侯清润 高炬 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期23-29,共7页
oron carbon nitride coatings were synthesized using the pulsed laser deposition method. The hardness of the coatings was measured by a Vickers microhardness tester. It was found that the hardness of the coatings was b... oron carbon nitride coatings were synthesized using the pulsed laser deposition method. The hardness of the coatings was measured by a Vickers microhardness tester. It was found that the hardness of the coatings was between 15.45 and 34.05 GPa under a load of 0.5 N. The surface morphology was studied by optical microscopy and atomic force microscopy. There were spherical and irregular shaped particulates in the coatings. The density of the spherical particles was found being increased at high deposition temperatures. The rootmeansquared surface roughness of the coatings was about 4 nm. 展开更多
关键词 Pulsed laser deposition Boron carbon nitride MICROHARDNESS Surface morphology
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Calculation of Bulk Moduli of Carbon Nitride/metal Nitride Composites
15
作者 侯清润 高炬 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期73-76,共4页
ased on Marvin L. Cohen′s empirical approach, a simple model of calculation of bulk moduli of carbon nitride/metal nitride composites is shown. The calculated bulk modulus of the crystalline carbon nitride/TiN compos... ased on Marvin L. Cohen′s empirical approach, a simple model of calculation of bulk moduli of carbon nitride/metal nitride composites is shown. The calculated bulk modulus of the crystalline carbon nitride/TiN composite coating is comparable with that of cBN and diamond. This model predicts that the modulus of the composite is between the moduli of the two components. 展开更多
关键词 Bulk modulus Carbon nitride Metal nitride Composite
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CdZnTe Crystal Growth by Vertical Gradient Freezing Method
16
作者 侯清润 王金义 +3 位作者 邓金诚 杜冰 李美蓉 常米 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第3期223-226,共4页
In CdZnTe crystal growth by vertical gradient freezing (VGF) method the porosity control, preventing the inner-wall carbon coating from breakdown and preventing backdiffusion from the melt were studied. The porosity c... In CdZnTe crystal growth by vertical gradient freezing (VGF) method the porosity control, preventing the inner-wall carbon coating from breakdown and preventing backdiffusion from the melt were studied. The porosity can be eliminated by maintaining a proper temperature gradient at the solid/liquid interface during growth. High vapor pressure in the growth chamber sometimes causes expansion of the quartz ampoule and thus breakdown of the inner-wall carbon coating. Backdiffusion can be controlled by reducing the opening size of the reservoir and the volume of the ampoule's free space. 展开更多
关键词 CADMIUM INTERMETALLICS POROSITY TECHNETIUM
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Enginered Interfaces for Adherent Coatings
17
作者 侯清润 高炬 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第4期44-47,共4页
Two methods used to grow adherent coatings, roughening of the surface for mechanical interlocking and the use of chemically compatible interlayers having intermediate thermal expansion coefficients are analyzed numeri... Two methods used to grow adherent coatings, roughening of the surface for mechanical interlocking and the use of chemically compatible interlayers having intermediate thermal expansion coefficients are analyzed numerically with the aid of phase diagram. Calculations indicate that more roughness and smaller periodicity of the substrate surface will increase the interfacial area and thus enhance the adherence strength of the coating. The phase diagram shows that an intermediate layer with a proper composition gradient from the substrate to the film will relax the thermal stress at the interface effectively. 展开更多
关键词 Adherent coatings ROUGHENING Intermediate layer
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Adherent Carbon Coatings on Quartz
18
作者 侯清润 高炬 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第2期77-80,共4页
Adhesion of carbon films on quartz is a critical issue in CdZnTe crystal growth. The carbon films do not stick well to quartz with a smooth surface. Strong adhesion is obtained when the quartz is abraded by abrasive p... Adhesion of carbon films on quartz is a critical issue in CdZnTe crystal growth. The carbon films do not stick well to quartz with a smooth surface. Strong adhesion is obtained when the quartz is abraded by abrasive paper (made of SiC). 展开更多
关键词 Carbon film QUARTZ ADHESION
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Carbon Film Coating Used in CdZnTe Crystal Growth
19
作者 侯清润 高炬 +1 位作者 王金义 陈纪安 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第2期35-37,共3页
A simple method of carbon film coating used in CdZnTe crystal growth was developed. The optimum parameters were selected. Breakdown of carbon film was commonly seen if Cd reservoir was not used in the crystal growth. ... A simple method of carbon film coating used in CdZnTe crystal growth was developed. The optimum parameters were selected. Breakdown of carbon film was commonly seen if Cd reservoir was not used in the crystal growth. The carbon film was in good condition when the vapor pressure of Cd was kept around 0.1 MPa during crystal growth. 展开更多
关键词 Carbon film coating CDZNTE Crystal growth
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Vertical Bridgman Seeded Growth of Cd_(1-x)Zn_xTe Crystals
20
作者 侯清润 陈纪安 +1 位作者 赵乐敏 张新敏 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第2期126-129,共4页
The method of vertical Bridgman seeded growth of Cdi.Zn.Te crystals was studied. This method ispromising in obtaining large size single crystals and improving the crystal structure. However, some prob-lems such as see... The method of vertical Bridgman seeded growth of Cdi.Zn.Te crystals was studied. This method ispromising in obtaining large size single crystals and improving the crystal structure. However, some prob-lems such as seeded growth failurc exist at present.(111)-oriented Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te single crystal substrateswith size greater than 15×15 mm ̄2 arc obtained. The FWHM ranges from 18 to 66 arc.sec and theresistivity is greater than 10 ̄6 obmem. 展开更多
关键词 Seeded growth Vertical Bridgman method CDZNTE
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