神经白塞氏病误诊为面神经炎、炎性假瘤1例

白塞氏病（Behcet’s disease，BD）是一种以细小血管炎为病理基础的原因不明的疾病，当白塞氏病引起神经系统受累时，则称为神经白塞氏病（Neuro-Behcet’s disease，NBD）。神经白塞氏病其临床表现多样，易误诊为眶尖综合症、脑炎等疾病，是白塞氏病致残及致死的主要原因之一，是白塞氏病的重症表现。现将1例多次误诊最终诊断为神经白塞氏病的病例及其治疗报道如下．

缺氧缺糖海马神经元模型最佳造模时间的选择

目的:建立可靠合理的海马神经元缺氧缺糖(OGD)模型。方法:用培养5 d的海马神经元细胞,采用三气培养箱联合EBSS液,进行OGD造模;于培养0.5、1、2及3 h时收集海马神经元细胞,倒置显微镜下观察海马细胞的形态,并采用MTT法通过检测海马细胞的吸光度(OD)值绘制海马神经元OGD损伤时效曲线,筛选海马神经元OGD最佳造模时间。结果:倒置显微镜下可见随着OGD时间的延长,神经元细胞受损越严重,生长状态越差,胞体从正常的饱满圆润,折光性、立体感强,神经元细胞轴突长,形状粗壮,数量多,与树突相互交集呈网络状;细胞贴壁牢固,变成大部分神经元胞体与自身轴突、树突连接断裂,有的胞体,细胞直接从培养板壁上脱落,脱落的细胞堆积在一起;从海马神经元OGD损伤时效曲线可发现前5 d海马神经元生长迅速,第5天到达高峰期,第5~7天为平台期,第8天后活力稍下降;与OGD 0 h(正常)OD值比较,OGD 0.5、1、2及3 h的OD值减低(P<0.05),表明所采用的OGD造模方法是成功的,OGD 2 h时细胞的损伤程度为正常细胞组30%,可作为正式实验OGD模型。结论:三气培养箱联合EBSS液可进行体外OGD造模,最佳的细胞模型为培养2 h。

Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性

通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。

脑瘫高危儿早期康复的疗效及预后

目的:探讨脑瘫高危儿进行早期康复治疗后的近期和远期影响。方法:将2016年1月至2018年12月收治的100例高危儿,随机分康复组(60例)和对照组(40例)。其中,康复组采用系统的早期康复及家庭训练,对照组采用家庭康复训练指导。评价两组治疗前后粗大运动功能得分、Alberta婴儿运动量表(AIMS)评分以及1岁随访时发育迟缓发生率。结果:康复组粗大运动功能评分高于对照组(P<0.01),并且1岁时发育迟缓发生率低于对照组(P<0.01)。结论:脑瘫高危儿经过早期康复,能够使患儿的运动发育水平得到明显提升,其正常运动模式能够尽快引出,有效减少发育迟缓的发生率,提高脑瘫患儿的生活质量。

基于罗森塔尔效应的中职教育实践探索与启发

在中职学校教育教学中,教师应科学运用罗森塔尔效应时,应用者要正确认识和掌握并利用罗森塔尔效应,通过正确的应用方式,促使其产生积极效果,严格限制它的负面影响。在运用罗森塔尔效应时,教师需要充分分析学生的学习动机、心理状态、自我意识等特点的基础上,发出恰当的“期望”信息,才能在学生身上产生强烈的正效应。在教育教学过程中运用罗森塔尔效应时,也要因材施教,充分考虑学生的个性特征,适时采用正面激励和负面激励路径,促进个人成长,引导中职学生走向正确的人生道路。

家兔前肢“商阳”“二间”“三间”“合谷”“曲池”穴巨显微解剖结构

目的:研究家兔前肢阳明经"商阳""二间""三间""合谷""曲池"穴区的层次结构。方法:先对各穴进行体表定位标识,然后针刺各穴,用多用电子穴位测定治疗仪协助探穴,以确定上述各穴定位准确性。空气栓塞处死家兔,打开胸腔后从锁骨下动脉注入不同浓度的ABS灌注液,使前肢血管全部染色清晰,在巨显微条件下逐一对腧穴进行层次解剖,观察并测量腧穴与周围组织结构的毗邻关系。结果:家兔前肢阳明经"商阳""二间""三间""合谷""曲池"穴浅层穴区以头静脉为主,桡神经浅支神经干和其分支为基础;深层穴区以桡动脉及分支、正中神经为基础。结论:"商阳""二间""三间""合谷""曲池"穴和头静脉,桡动、静脉及分支,桡神经浅支及正中神经有密切的关系,这是上述5个腧穴穴区的形态学基础。

贵州小型猪后肢太阳膀胱经常用腧穴定位及进针研究

目的:研究贵州小型猪后肢太阳膀胱经委中、委阳、合阳、承山、昆仑、京骨、束骨、足通谷、至阴的定位法和取穴法,腧穴的进针方向和进针长度,为贵州小型猪相关实验针灸研究提供腧穴定位及进针长度的形态学资料和数据。方法:采用以人体腧穴模拟为依据初步确定腧穴位置,根据人体与贵州小型猪比较解剖学的不同进一步确定腧穴,比照人体腧穴与实验动物腧穴、兽医针灸腧穴资料进行复查,最后在多用电子穴位测定治疗仪上测定。确定相关腧穴后对腧穴进行层次解剖和断面解剖,测量各腧穴的进针长度。结果:贵州小型猪委中、委阳、合阳、承山、昆仑、京骨、束骨、足通谷、至阴均可比照人体确定,进针长度与人体进针长度不成比例,部分腧穴穴区解剖学结构与人体有所不同。结论:贵州小型猪委中、委阳、合阳、承山、昆仑、京骨、束骨、足通谷、至阴等腧穴可从体表进行定位、取穴。

大脑皮层在发育和进化中增大及沟回形成的分子细胞机制

非人灵长类动物在向人类的进化过程中,大脑皮层的体积不断增大,其表面沟回结构变得更加丰富,这一过程被认为与人类智力的形成密切相关,是人类大脑高级功能的神经基础。研究表明大脑皮层的大小不但受到编码基因的调控,而且还受到非编码RNA的重要影响。引人关注的是,近年来对有沟回脑的室下区(subventricular zone)外层放射状胶质细胞(outer radial glial cells,o RGs)的研究,揭示了其与大脑皮层沟回形成间的重要联系。本文通过回顾前人的研究,总结了当前在大脑皮层大小调节方面的一些重要进展,探讨了大脑皮层沟回形成的可能分子与细胞机制。

补脑Ⅰ号联合骨髓间充质干细胞对缺氧缺糖脑微血管内皮细胞损伤VEGF、ICAM-1表达的影响

目的:通过观察补脑Ⅰ号、骨髓间充质干细胞(BMSCs)对缺氧缺糖(OGD)损伤小鼠脑微血管内皮细胞(BMVECs)的保护作用,探讨补脑Ⅰ号治疗阿尔茨海默病(AD)可能机制。方法:采用OGD方法构建小鼠BMVECs损伤模型,用补脑Ⅰ号含药血清、BMSCs进行干预,按实验分组给予含相应血清的培养液处理。采用RT-PCR法及Western blot法检测各组补脑Ⅰ号含药血清、BMSCs对各组细胞血管内皮生长因子(VEGF)、细胞间黏附分子-1(ICAM-1)基因及蛋白表达水平。结果:OGD能导致BMVECs中VEGF、ICMA-1基因及蛋白表达增多(P<0.05)。10%含药血清、BMSCs、BMSCs+10%正常血清组、BMSCs+10%含药血清组均可升高VEGF基因及蛋白的表达、降低ICAM-1基因及蛋白的表达(P<0.05);其中,与10%含药血清组、BMSCs组、BMSCs+10%正常血清组比较,BMSCs+10%含药血清组能增加VEGF基因及蛋白表达、降低ICAM-1基因及蛋白表达(P<0.05)。结论:补脑Ⅰ号含药血清、BMSCs可能通过抑制炎症反应、促进VEGF分泌,从而减少BMVEGs损伤达到保护血管作用,且补脑Ⅰ号联合BMSCs应用效果优于单独使用。