-
题名一种新型电压倍增电路的设计
被引量:1
- 1
-
-
作者
侯西亮
罗军
李弦
-
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
-
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第6期802-806,811,共6页
-
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003002)
-
文摘
为了消除传统电压倍增电路中NMOS管的体效应、电荷回流等问题,提出了一种新型电压倍增电路。采用两相非交叠时钟,通过反相器对PMOS传输管栅极进行动态偏置,消除了NMOS管传输高电压时的阈值损失。采用动态衬底偏置方法,保证内部PN结的反偏,消除了体效应和电荷回流。基于Nor Flash 65 nm工艺进行电路设计,并进行Hspice仿真。结果表明,该电路有效消除了阈值损失和体效应,克服了电荷回流现象,提高了输出电压和工作效率。
-
关键词
电压倍增电路
体效应
电荷回流
效率
-
Keywords
voltage doubler circuit
body effect
charge back-flow
efficiency
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名基于Hsim的标准单元时序信息提取方法
- 2
-
-
作者
侯西亮
王志刚
-
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
-
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第9期1-5,共5页
-
文摘
在全定制标准单元版图设计完成后,需要在不同的负载,输入转换时间以及最快,最慢和典型情况下,对标准单元进行后仿真.为了快速得到其准确的时序信息,提出了一种基于Hsim的标准单元时序信息提取方法,并以D触发器标准单元为例,介绍了利用测量脚本快速提取标准单元时序信息的过程.结果表明该方法可以灵活的根据需要设置仿真环境参数,实现了对标准单元时序信息的快速准确提取,测量结果为后续标准单元的使用与版图优化提供了指导意义.
-
关键词
标准单元
时序信息
Hsim
后仿真
-
Keywords
standard cell
timing information Hsim
post-layout simulation
-
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-