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C波段GaAs单片接收机前端
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作者 俞土法 叶禹康 +2 位作者 张闻辉 彭龙新 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期64-64,共1页
C波段GaAs单片接收机前端俞土法,叶禹康,张闻辉,彭龙新,李拂晓(南京电子器件研究所,210016)1993年11月10日收到AC-BandGaAsMonolithicReceiverFrontEnd¥YuTufa... C波段GaAs单片接收机前端俞土法,叶禹康,张闻辉,彭龙新,李拂晓(南京电子器件研究所,210016)1993年11月10日收到AC-BandGaAsMonolithicReceiverFrontEnd¥YuTufa;YeYukang;ZhangWe... 展开更多
关键词 C波段 GAAS 单片接收机 接收机前端
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一种新颖的DC~50GHz低插入相移MMIC可变衰减器 被引量:5
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作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期186-188,共3页
介绍了一种新颖的 DC~ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC~ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波... 介绍了一种新颖的 DC~ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC~ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 。 展开更多
关键词 砷化镓微波单片集成电路 超宽带 低相移 可变衰减器 GAAS MMIC
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一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器 被引量:4
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作者 戴永胜 陈堂胜 +6 位作者 岑元飞 俞土法 李辉 陈继义 李拂晓 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期236-236,共1页
关键词 多倍频程 砷化镓 数字移相器
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一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器 被引量:3
4
作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 高树平 杨立杰 陈继义 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期454-455,共2页
关键词 可变衰减器 低相移 集成电路
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三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器 被引量:2
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作者 戴永胜 陈堂胜 +6 位作者 岑元飞 俞土法 李辉 陈继义 李拂晓 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期235-235,共1页
关键词 超宽带 单片移相器 MMIC 集成电路
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GaAs MMIC抗静电能力研究 被引量:4
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作者 叶禹康 孙伟东 +1 位作者 俞土法 金毓铨 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期433-437,共5页
用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到50... 用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到500~800 V。 展开更多
关键词 砷化镓 MMIC 抗静电 微波集成电路
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采用共面波导的高性能反射型MMIC SPST和SPDT开关芯片系列 被引量:2
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作者 戴永胜 陈堂胜 +6 位作者 俞土法 刘琳 高树平 杨立杰 张颖芳 陈继义 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2000年第4期453-453,共1页
关键词 共面波导 MMIC SPST SPDT
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一种新颖的多倍频程180°GaAs MMIC数字移相器 被引量:1
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作者 戴永胜 陈堂胜 +4 位作者 岑元飞 俞土法 陈继义 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期121-121,共1页
关键词 数字移相器 多倍频程 砷化镓 单片集成电路
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高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关
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作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 岑元飞 俞土法 李辉 陈继义 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期234-234,共1页
关键词 砷化镓 MMEC SPST SPDT开关 集成电路
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GaAs多芯片多倍频程矢量调制器
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作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期239-240,共2页
关键词 砷化镓 芯片 多倍频程 矢量调制器
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数字/模拟兼容的超宽带90°、45°、22.5°、11.25°单片移相器
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作者 戴永胜 陈堂胜 +4 位作者 岑元飞 俞土法 李辉 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期342-342,共1页
关键词 单行移相器 超宽带 数字/模拟兼容
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DC-40GHzMMIC开关
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作者 叶禹康 俞土法 伍祥冰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期249-253,共5页
DC-40GHzMMIC开关叶禹康,俞土法,伍祥冰(南京电子器件研究所,210016)提要*用微波单片集成电路(MMIC)技术设计制作了高隔离度、超快速DC-40GHzMMIC开关(SPST)。开关采用串联、并联单元... DC-40GHzMMIC开关叶禹康,俞土法,伍祥冰(南京电子器件研究所,210016)提要*用微波单片集成电路(MMIC)技术设计制作了高隔离度、超快速DC-40GHzMMIC开关(SPST)。开关采用串联、并联单元MESFET兼用的电路结构。芯片尺... 展开更多
关键词 MMIC开关 宽带开关 MESFET 微波集成电路
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一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
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作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 《电子元器件应用》 2002年第2期16-18,共3页
介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输... 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB.芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm.芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好. 展开更多
关键词 砷化镓微波单片集成电路 超宽带 相移 多功能 可变衰减器 成品率 可靠性
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一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
14
作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 《电子元器件应用》 2002年第1期16-18,共3页
介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输... 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB。芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm。芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好。 展开更多
关键词 砷化镓 集成电路 移动通信 相移 可变衰减器 可靠性
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新颖的超小型多倍频程5位GaAs数字移相器 被引量:1
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作者 戴永胜 陈堂胜 +3 位作者 俞土法 刘琳 陈效建 林金庭 《电子元器件应用》 2002年第11期19-20,54,共3页
介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5°和11.25°相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz~20GHz频率范围内,获得低峰... 介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5°和11.25°相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz~20GHz频率范围内,获得低峰值相移误差≤5°对180°、90°、45°相移位,≤2.5°对22.5°和11.25°相移位;低输入/输出驻波比≤1.8;低插入损耗起伏(1OdB±0.8dB)和小芯片尺寸(4.2mm×2.5mm×0.1mm)。 展开更多
关键词 多倍频程 数字移相器 砷化镓微波单片集成电路 兰格耦合器
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L波段砷化镓单片低噪声放大器
16
作者 伍祥冰 叶禹康 +3 位作者 俞土法 季晓明 张薇 张闻辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期252-255,共4页
设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out... 设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 展开更多
关键词 L波段 砷化镓 单片 低噪声放大器
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S波段砷化镓单片窄带滤波器
17
作者 张闻辉 俞土法 彭龙新 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期235-235,共1页
随着砷化镓单片集成电路的发展,微波无源、有源单片电路的使用范围越来越广泛。南京电子器件研究所已研制出一种砷化镓单片窄带s波段滤波器。芯片尺寸为5mm×4mm×0.1mm。3dB相对带宽为8.3%,在150MHz带内,即5.1%的相对带宽内... 随着砷化镓单片集成电路的发展,微波无源、有源单片电路的使用范围越来越广泛。南京电子器件研究所已研制出一种砷化镓单片窄带s波段滤波器。芯片尺寸为5mm×4mm×0.1mm。3dB相对带宽为8.3%,在150MHz带内,即5.1%的相对带宽内,插损小于6dB,起伏小于0.5dB;距中心频率300MHz外,即20%的相对带宽外,抑制大于30dB; 展开更多
关键词 滤波器 窄带 砷化镓 S波段
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几种超小型GaAs微波/毫米波集成电路移相器
18
作者 戴永胜 陈堂胜 +4 位作者 俞土法 陈新宇 郝西平 陈效建 林金庭 《电子元器件应用》 2002年第9期12-13,共2页
介绍几种新颖的超小型1GHz~26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟或数字控制信号。
关键词 砷化镓 微波单片集成电路 数字/模拟移相器 微带径向传输线
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长效止痛剂在肛肠病术后应用临床观察
19
作者 张仁添 俞土法 《大肠肛门病外科杂志》 1998年第2期42-43,共2页
由于肛门周围神经末梢丰富和肛门结构特殊性,肛门病术后疼痛剧烈.作者采用长效止痛剂用于肛门病术后镇痛,通过3组临床对比观察,长效二号术后无痛占75.8%,基本无痛占14.5%,总有效率为90.3%.长效止痛剂的优点:①为病人排忧解痛;②减少并... 由于肛门周围神经末梢丰富和肛门结构特殊性,肛门病术后疼痛剧烈.作者采用长效止痛剂用于肛门病术后镇痛,通过3组临床对比观察,长效二号术后无痛占75.8%,基本无痛占14.5%,总有效率为90.3%.长效止痛剂的优点:①为病人排忧解痛;②减少并发症的发生;③减轻护士工作量,提高工作效率;④药物来源广,配制操作简单,使用方便,无副作用. 展开更多
关键词 肛门病 术后 镇痛 长效止痛剂
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一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器(英文) 被引量:1
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作者 戴永胜 陈堂胜 +6 位作者 杨立杰 李辉 俞土法 陈新宇 郝西平 陈效建 林金庭 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期137-140,共4页
介绍了一种新颖的在5~20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能。选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑。在5~20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°)... 介绍了一种新颖的在5~20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能。选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑。在5~20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB)。芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm. 展开更多
关键词 兰格耦合器 多倍频程移相器 MMIC 微波集成电路
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