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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
被引量:
1
1
作者
胡辉勇
张鹤鸣
+6 位作者
戴显英
王顺祥
朱永刚
区健锋
俞智刚
马何平
王喜媛
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期2056-2058,共3页
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分...
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.
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关键词
应变硅
调制掺杂
电子面密度
阈值电压
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职称材料
题名
应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
被引量:
1
1
作者
胡辉勇
张鹤鸣
戴显英
王顺祥
朱永刚
区健锋
俞智刚
马何平
王喜媛
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期2056-2058,共3页
基金
国家模拟集成电路重点实验室基金(No.51439010904DZ0101)
西安电子科技大学青年科研工作站基金(No.03011#)
文摘
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.
关键词
应变硅
调制掺杂
电子面密度
阈值电压
Keywords
strain Si
modulation-doped
electron-sheet-density
threshold voltage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
胡辉勇
张鹤鸣
戴显英
王顺祥
朱永刚
区健锋
俞智刚
马何平
王喜媛
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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