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关于VC^(++)数据库访问接口的研究
被引量:
1
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作者
俞柯柯
《软件导刊》
2006年第6期39-41,共3页
VC++提供了几种接口(DAO,OLE/DB,ADO,ODBC)支持数据库编程,利用这些接口,可以在程序中直接操作各种各样的数据库。简要介绍了以上几种接口的用法。
关键词
VC++数据库
数据库接口
访问技术
对象连接
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职称材料
电沉积制备Co-Pt-Mo磁性薄膜
被引量:
1
2
作者
王乐泰
俞柯柯
+3 位作者
蒋霄云
秦雨晴
忻翠翠
卫国英
《电镀与环保》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期18-20,共3页
通过电沉积方法在铜基底上制得Co-Pt-Mo磁性薄膜。通过对镀液的循环伏安分析,确定了合适的沉积电位。研究了pH值对薄膜的成分、表面形貌、结构以及磁性能的影响。结果表明:随着pH值的增大,薄膜中Co的质量分数从26.9%逐渐增加到63.8%,矫...
通过电沉积方法在铜基底上制得Co-Pt-Mo磁性薄膜。通过对镀液的循环伏安分析,确定了合适的沉积电位。研究了pH值对薄膜的成分、表面形貌、结构以及磁性能的影响。结果表明:随着pH值的增大,薄膜中Co的质量分数从26.9%逐渐增加到63.8%,矫顽力与比饱和磁化强度分别从0.3kA/m和189kA/m增加到24.1kA/m和1 283kA/m。
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关键词
电沉积
磁性能
矫顽力
薄膜
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职称材料
具有相同简单级数的不同反应类型的半衰期公式——以二级反应和三级反应为例
被引量:
1
3
作者
朱如玉
朱雨钢
+1 位作者
俞柯柯
许映杰
《化学教育(中英文)》
CAS
北大核心
2018年第10期15-17,共3页
化学反应的半衰期公式不仅与反应级数有关,而且与反应类型相关。具有相同简单级数的不同类型反应的半衰期表达式也往往不一致。对具有简单级数反应的半衰期表达式进行了分析,重点讨论了不同类型的二级反应和三级反应半衰期表达式的特...
化学反应的半衰期公式不仅与反应级数有关,而且与反应类型相关。具有相同简单级数的不同类型反应的半衰期表达式也往往不一致。对具有简单级数反应的半衰期表达式进行了分析,重点讨论了不同类型的二级反应和三级反应半衰期表达式的特点及其他们之间的内在联系和区别。
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关键词
半衰期
二级反应
三级反应
反应动力学
原文传递
题名
关于VC^(++)数据库访问接口的研究
被引量:
1
1
作者
俞柯柯
机构
浙江工商大学计算机与信息工程学院
出处
《软件导刊》
2006年第6期39-41,共3页
文摘
VC++提供了几种接口(DAO,OLE/DB,ADO,ODBC)支持数据库编程,利用这些接口,可以在程序中直接操作各种各样的数据库。简要介绍了以上几种接口的用法。
关键词
VC++数据库
数据库接口
访问技术
对象连接
分类号
TP311.13 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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职称材料
题名
电沉积制备Co-Pt-Mo磁性薄膜
被引量:
1
2
作者
王乐泰
俞柯柯
蒋霄云
秦雨晴
忻翠翠
卫国英
机构
中国计量学院材料科学与工程学院
出处
《电镀与环保》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期18-20,共3页
文摘
通过电沉积方法在铜基底上制得Co-Pt-Mo磁性薄膜。通过对镀液的循环伏安分析,确定了合适的沉积电位。研究了pH值对薄膜的成分、表面形貌、结构以及磁性能的影响。结果表明:随着pH值的增大,薄膜中Co的质量分数从26.9%逐渐增加到63.8%,矫顽力与比饱和磁化强度分别从0.3kA/m和189kA/m增加到24.1kA/m和1 283kA/m。
关键词
电沉积
磁性能
矫顽力
薄膜
Keywords
electrodeposition
magnetic performance
coercive force
film
分类号
TQ153 [化学工程—电化学工业]
下载PDF
职称材料
题名
具有相同简单级数的不同反应类型的半衰期公式——以二级反应和三级反应为例
被引量:
1
3
作者
朱如玉
朱雨钢
俞柯柯
许映杰
机构
绍兴文理学院化学化工学院
出处
《化学教育(中英文)》
CAS
北大核心
2018年第10期15-17,共3页
基金
2015年绍兴市高等学校精品课程“物理化学实验”(绍市教高(2015)133号)
2016年浙江省大学生科技创新活动计划暨新苗人才计划(2016227)
文摘
化学反应的半衰期公式不仅与反应级数有关,而且与反应类型相关。具有相同简单级数的不同类型反应的半衰期表达式也往往不一致。对具有简单级数反应的半衰期表达式进行了分析,重点讨论了不同类型的二级反应和三级反应半衰期表达式的特点及其他们之间的内在联系和区别。
关键词
半衰期
二级反应
三级反应
反应动力学
Keywords
halfa-life
second-order reaction
third-order reaction
reaction kinetic
分类号
O643.1 [理学—物理化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
关于VC^(++)数据库访问接口的研究
俞柯柯
《软件导刊》
2006
1
下载PDF
职称材料
2
电沉积制备Co-Pt-Mo磁性薄膜
王乐泰
俞柯柯
蒋霄云
秦雨晴
忻翠翠
卫国英
《电镀与环保》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
3
具有相同简单级数的不同反应类型的半衰期公式——以二级反应和三级反应为例
朱如玉
朱雨钢
俞柯柯
许映杰
《化学教育(中英文)》
CAS
北大核心
2018
1
原文传递
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