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新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析 被引量：2
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作者 姚淑德 孟兆祥 +5 位作者 俞芃芃 张勇 周生强 卢一泓 张国义 童玉珍 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期41-44,共4页
研究用卢瑟福背散射 /沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质 ,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
关键词 电阻率 载流子浓度 霍尔效应
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