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MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用
被引量:
2
1
作者
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1995年第2期73-81,共9页
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用Characteristics,DriveandApplicationsofMCT¥//西安电力电子技术研究所俞苹1国内外MCT研制发展现状本刊1990年第四期曾介绍过MC...
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用Characteristics,DriveandApplicationsofMCT¥//西安电力电子技术研究所俞苹1国内外MCT研制发展现状本刊1990年第四期曾介绍过MCT的基本结构、工作原理及与其它器件...
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关键词
MOS
晶闸管
应用
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职称材料
基于UIO流方法的协议一致性测试及应用
被引量:
4
2
作者
俞苹
顾冠群
《数据通信》
1996年第1期8-15,共8页
协议一致性测试是验证协议软件的一个重要手段。本文详细介绍了采用UIO流进行一致性测试的方法。FTAM是OSI环境中的一种基本服务,FTAM协议栈软件是按照ISO8571的标准文本实现的。本文还采用UIO流产生了对FT...
协议一致性测试是验证协议软件的一个重要手段。本文详细介绍了采用UIO流进行一致性测试的方法。FTAM是OSI环境中的一种基本服务,FTAM协议栈软件是按照ISO8571的标准文本实现的。本文还采用UIO流产生了对FTAM协议栈软件进行协议一致性测试的测试流。
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关键词
文件传输
访问管理
一致性测试
UIO流
协议
软件
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职称材料
国外新器件研制和应用现状
3
作者
俞苹
《电气传动》
北大核心
1996年第3期49-54,共6页
当前,电力半导体器件的发展重点是采用新的原理,开发新的MOS双极器件(IGBT和MCT)和场控器件(SITH)。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状,以及这些器件的应用情况。
关键词
电力半导体器件
发展
应用
MOS器件
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职称材料
维持性血液透析患者蛋白质摄入与临床营养评估
被引量:
17
4
作者
张瑜凌
张家瑛
+4 位作者
王梦婧
俞苹
袁立
李海明
陈靖
《中国血液净化》
2014年第12期810-814,共5页
目的 为了避免营养不良,2001年K/DOQI指南建议维持性血液透析(MHD)患者每天蛋白摄入量(DPI)不得少于1.2g/kg体质量,然而近来有不少研究对此提出了异议.本研究旨在比较不同蛋白摄入量对MHD患者营养和临床状况的影响,探讨中国MHD患者...
目的 为了避免营养不良,2001年K/DOQI指南建议维持性血液透析(MHD)患者每天蛋白摄入量(DPI)不得少于1.2g/kg体质量,然而近来有不少研究对此提出了异议.本研究旨在比较不同蛋白摄入量对MHD患者营养和临床状况的影响,探讨中国MHD患者最合适的蛋白摄入量,为血透营养治疗提供依据. 方法 筛查上海复旦大学附属华山医院血液透析中心饮食稳定的MHD患者189例,指导患者记录3日饮食日记,利用开同营养评估软件分析营养素摄入量.开展营养相关的体表测量,采用主观综合营养评估法(SGA)对患者进行营养评估.同时收集患者透析前血标本,检测相关营养指标及生化、代谢指标. 结果 在189例筛查的血液透析患者中,应用膳食评估和nPNA检测,选取DPI≥0.8 g/(kg·d)的142例,分为3组:①0.8g/(kg·d)≤DPI<1.0 g/(kg·d) (n=43),②1.0g/(kg·d)≤DPI< 1.2 g/(kg·d)(n=61),③DPI≥1.2 g/(kg·d) (n=38).3组患者每日能量摄入均低于指南推荐值,但3种营养素(碳水化合物、蛋白质、脂肪)的摄入比例无明显差异.SGA评分及人体测量结果显示3组患者无显著性差异.血液生化检测显示血红蛋白、白蛋白、总胆固醇等营养相关指标在各组间无显著性差异,但是尿素氮、肌酐、血磷及酸中毒情况随着蛋白摄入增加而显著上升,各组间差别有统计学意义.结论 中国MHD患者每日蛋白摄入量在0.8~1.2 g/kg体质量能够维持较好的营养状态,并有助于减轻高磷血症及酸中毒.
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关键词
维持性血液透析
营养状况
每日蛋白摄入量
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职称材料
TOP/FTAM的扩展实现
5
作者
丁伟
顾冠群
俞苹
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期86-89,共4页
本文探讨了PTAM中尚未标准化的关于文件目录操作的选择,并介绍了它们在TOP/FTAM中的实现;通过把对文件和目录的操作视为针对不同类型操作对象的相同操作,这些目录操作被实现在TOP/FTAM的高级应用接口中,并且利...
本文探讨了PTAM中尚未标准化的关于文件目录操作的选择,并介绍了它们在TOP/FTAM中的实现;通过把对文件和目录的操作视为针对不同类型操作对象的相同操作,这些目录操作被实现在TOP/FTAM的高级应用接口中,并且利用了其中原有的一些文件操作,本文分别讨论了这些文件目录操作在应用接口端和VFS端的设计思想和一些实现细节。
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关键词
计算机应用
计算机网络
文卷传送
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职称材料
国内外电力电子技术发展综述
被引量:
3
6
作者
俞苹
周观允
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992年第4期59-64,共6页
关键词
电力电子技术
制造
发展
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职称材料
功率半导体模块
被引量:
1
7
作者
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992年第3期45-48,共4页
关键词
模块
功率晶体管
功率半导体
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职称材料
电力半导体器件的现状及展望
8
作者
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1991年第1期54-58,共5页
关键词
电力电子
半导体器件
展望
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职称材料
国外MOS控制晶闸管的研制概况
9
作者
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第4期42-45,共4页
关键词
晶闸管
功率器件
MOS控制
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职称材料
用于变频脱线变流器的1MHz谐振型IC控制器
10
作者
Harr.,SL
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第1期44-46,F003,13,共5页
关键词
变频脱线
变流器
谐振型
IC
控制器
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职称材料
大功率二极管和晶闸管的抗辐射强度
11
作者
Passe.,B
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第1期11-13,共3页
关键词
功率
二极管
晶闸管
抗辐射
大功率
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职称材料
用“加速”电感器提高大电流功率晶体管的开关速度
12
作者
郭彩霞
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第1期9-10,共2页
关键词
电感器
电流
功率
晶体管
开关速度
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职称材料
具有n缓冲层和新的阳极短路结构的6000V GTO
13
作者
Tsuneo
Ogura
俞苹
《国外电力电子技术》
1992年第1期1-4,共4页
研制出用于大功率逆变器和斩波器的6000V GTO,为了获得高的阻断电压,且同时具有低的开通和关断损耗,采用了n缓冲层和圆柱型阳极短路结构相结合的方法。通过n缓冲层结构所实现的550umn基区宽度可使开通损耗比普通阳极短路结构的减少...
研制出用于大功率逆变器和斩波器的6000V GTO,为了获得高的阻断电压,且同时具有低的开通和关断损耗,采用了n缓冲层和圆柱型阳极短路结构相结合的方法。通过n缓冲层结构所实现的550umn基区宽度可使开通损耗比普通阳极短路结构的减少约1/3,所提出的这种结构可有效地扫除关断瞬间剩余载流子,而不使通态电压增加太多,直径33mm的器件可以在90Hz工作上连续开关200A阳极平均电流,提出了P基区和n缓冲层同步扩散工艺,并用该工艺制作出新开发的器件结构。
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关键词
缓冲层
阳极
短路结构
晶体管
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职称材料
电机变频驱动中IGBT的功率MOSFET的比较
14
作者
Dubh.,AU
俞苹
《国外电力电子技术》
1991年第4期10-15,共6页
关键词
电机
变频驱动
IGBT
MOSFET
下载PDF
职称材料
MCI/FET复合开关—小硅片具有高性能
15
作者
Ripp.,WE
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第3期12-15,共4页
关键词
晶闸管
硅片
MCT/FET
复合开关
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职称材料
用于大容量晶闸管冷却的双相温差环流系统
16
作者
Bordi.,P
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第4期10-13,共4页
关键词
晶闸管
冷却
双相温差
环流系统
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职称材料
MOS门发射极开关晶闸管
17
作者
Bali.,BJ
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第3期10-11,共2页
关键词
晶闸管
发射极开关
控制
MOS
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职称材料
改进MCT性能的最佳阴极结构
18
作者
Bauer,F
俞苹
《国外电力电子技术》
1992年第4期1-5,共5页
关键词
MCT
晶闸管
阴极结构
下载PDF
职称材料
MOS控制晶闸管的设计,工艺,模拟和实验结果
19
作者
Bauer,F
俞苹
《国外电力电子技术》
1992年第2期4-9,共6页
关键词
晶闸管
MOS控制
设计
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职称材料
大面积大功率半导体器件硅片与散热板结合技术的改进
20
作者
Crees,DE
俞苹
《国外电力电子技术》
1992年第4期50-53,共4页
关键词
半导体器件
硅片
散热
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职称材料
题名
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用
被引量:
2
1
作者
俞苹
机构
西安电力电子技术研究所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1995年第2期73-81,共9页
文摘
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用Characteristics,DriveandApplicationsofMCT¥//西安电力电子技术研究所俞苹1国内外MCT研制发展现状本刊1990年第四期曾介绍过MCT的基本结构、工作原理及与其它器件...
关键词
MOS
晶闸管
应用
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于UIO流方法的协议一致性测试及应用
被引量:
4
2
作者
俞苹
顾冠群
机构
东南大学计算机科学与工程系
出处
《数据通信》
1996年第1期8-15,共8页
文摘
协议一致性测试是验证协议软件的一个重要手段。本文详细介绍了采用UIO流进行一致性测试的方法。FTAM是OSI环境中的一种基本服务,FTAM协议栈软件是按照ISO8571的标准文本实现的。本文还采用UIO流产生了对FTAM协议栈软件进行协议一致性测试的测试流。
关键词
文件传输
访问管理
一致性测试
UIO流
协议
软件
分类号
TP31 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
TP306.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
国外新器件研制和应用现状
3
作者
俞苹
机构
西安电力电子技术研究所
出处
《电气传动》
北大核心
1996年第3期49-54,共6页
文摘
当前,电力半导体器件的发展重点是采用新的原理,开发新的MOS双极器件(IGBT和MCT)和场控器件(SITH)。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状,以及这些器件的应用情况。
关键词
电力半导体器件
发展
应用
MOS器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
维持性血液透析患者蛋白质摄入与临床营养评估
被引量:
17
4
作者
张瑜凌
张家瑛
王梦婧
俞苹
袁立
李海明
陈靖
机构
复旦大学附属华山医院肾内科
出处
《中国血液净化》
2014年第12期810-814,共5页
基金
上海市优秀学科带头人培养计划XBR2013080
文摘
目的 为了避免营养不良,2001年K/DOQI指南建议维持性血液透析(MHD)患者每天蛋白摄入量(DPI)不得少于1.2g/kg体质量,然而近来有不少研究对此提出了异议.本研究旨在比较不同蛋白摄入量对MHD患者营养和临床状况的影响,探讨中国MHD患者最合适的蛋白摄入量,为血透营养治疗提供依据. 方法 筛查上海复旦大学附属华山医院血液透析中心饮食稳定的MHD患者189例,指导患者记录3日饮食日记,利用开同营养评估软件分析营养素摄入量.开展营养相关的体表测量,采用主观综合营养评估法(SGA)对患者进行营养评估.同时收集患者透析前血标本,检测相关营养指标及生化、代谢指标. 结果 在189例筛查的血液透析患者中,应用膳食评估和nPNA检测,选取DPI≥0.8 g/(kg·d)的142例,分为3组:①0.8g/(kg·d)≤DPI<1.0 g/(kg·d) (n=43),②1.0g/(kg·d)≤DPI< 1.2 g/(kg·d)(n=61),③DPI≥1.2 g/(kg·d) (n=38).3组患者每日能量摄入均低于指南推荐值,但3种营养素(碳水化合物、蛋白质、脂肪)的摄入比例无明显差异.SGA评分及人体测量结果显示3组患者无显著性差异.血液生化检测显示血红蛋白、白蛋白、总胆固醇等营养相关指标在各组间无显著性差异,但是尿素氮、肌酐、血磷及酸中毒情况随着蛋白摄入增加而显著上升,各组间差别有统计学意义.结论 中国MHD患者每日蛋白摄入量在0.8~1.2 g/kg体质量能够维持较好的营养状态,并有助于减轻高磷血症及酸中毒.
关键词
维持性血液透析
营养状况
每日蛋白摄入量
Keywords
Maintenance hemodialysis
Nutritional status
Dietary protein intake
分类号
R318.16 [医药卫生—生物医学工程]
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职称材料
题名
TOP/FTAM的扩展实现
5
作者
丁伟
顾冠群
俞苹
机构
东南大学CIMS研究中心
出处
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期86-89,共4页
文摘
本文探讨了PTAM中尚未标准化的关于文件目录操作的选择,并介绍了它们在TOP/FTAM中的实现;通过把对文件和目录的操作视为针对不同类型操作对象的相同操作,这些目录操作被实现在TOP/FTAM的高级应用接口中,并且利用了其中原有的一些文件操作,本文分别讨论了这些文件目录操作在应用接口端和VFS端的设计思想和一些实现细节。
关键词
计算机应用
计算机网络
文卷传送
Keywords
computer applications
computer communication software
computer network/ FTAM
分类号
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
国内外电力电子技术发展综述
被引量:
3
6
作者
俞苹
周观允
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992年第4期59-64,共6页
关键词
电力电子技术
制造
发展
分类号
TN-13 [电子电信]
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职称材料
题名
功率半导体模块
被引量:
1
7
作者
俞苹
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992年第3期45-48,共4页
关键词
模块
功率晶体管
功率半导体
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
电力半导体器件的现状及展望
8
作者
俞苹
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1991年第1期54-58,共5页
关键词
电力电子
半导体器件
展望
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
国外MOS控制晶闸管的研制概况
9
作者
俞苹
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第4期42-45,共4页
关键词
晶闸管
功率器件
MOS控制
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用于变频脱线变流器的1MHz谐振型IC控制器
10
作者
Harr.,SL
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第1期44-46,F003,13,共5页
关键词
变频脱线
变流器
谐振型
IC
控制器
分类号
TM461 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
大功率二极管和晶闸管的抗辐射强度
11
作者
Passe.,B
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第1期11-13,共3页
关键词
功率
二极管
晶闸管
抗辐射
大功率
分类号
TN313.401 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用“加速”电感器提高大电流功率晶体管的开关速度
12
作者
郭彩霞
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第1期9-10,共2页
关键词
电感器
电流
功率
晶体管
开关速度
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有n缓冲层和新的阳极短路结构的6000V GTO
13
作者
Tsuneo
Ogura
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1992年第1期1-4,共4页
文摘
研制出用于大功率逆变器和斩波器的6000V GTO,为了获得高的阻断电压,且同时具有低的开通和关断损耗,采用了n缓冲层和圆柱型阳极短路结构相结合的方法。通过n缓冲层结构所实现的550umn基区宽度可使开通损耗比普通阳极短路结构的减少约1/3,所提出的这种结构可有效地扫除关断瞬间剩余载流子,而不使通态电压增加太多,直径33mm的器件可以在90Hz工作上连续开关200A阳极平均电流,提出了P基区和n缓冲层同步扩散工艺,并用该工艺制作出新开发的器件结构。
关键词
缓冲层
阳极
短路结构
晶体管
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
电机变频驱动中IGBT的功率MOSFET的比较
14
作者
Dubh.,AU
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1991年第4期10-15,共6页
关键词
电机
变频驱动
IGBT
MOSFET
分类号
TM921.51 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
MCI/FET复合开关—小硅片具有高性能
15
作者
Ripp.,WE
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第3期12-15,共4页
关键词
晶闸管
硅片
MCT/FET
复合开关
分类号
TN342 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用于大容量晶闸管冷却的双相温差环流系统
16
作者
Bordi.,P
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第4期10-13,共4页
关键词
晶闸管
冷却
双相温差
环流系统
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOS门发射极开关晶闸管
17
作者
Bali.,BJ
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第3期10-11,共2页
关键词
晶闸管
发射极开关
控制
MOS
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
改进MCT性能的最佳阴极结构
18
作者
Bauer,F
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1992年第4期1-5,共5页
关键词
MCT
晶闸管
阴极结构
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOS控制晶闸管的设计,工艺,模拟和实验结果
19
作者
Bauer,F
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1992年第2期4-9,共6页
关键词
晶闸管
MOS控制
设计
分类号
TN340.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大面积大功率半导体器件硅片与散热板结合技术的改进
20
作者
Crees,DE
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1992年第4期50-53,共4页
关键词
半导体器件
硅片
散热
分类号
TN342 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1995
2
下载PDF
职称材料
2
基于UIO流方法的协议一致性测试及应用
俞苹
顾冠群
《数据通信》
1996
4
下载PDF
职称材料
3
国外新器件研制和应用现状
俞苹
《电气传动》
北大核心
1996
0
下载PDF
职称材料
4
维持性血液透析患者蛋白质摄入与临床营养评估
张瑜凌
张家瑛
王梦婧
俞苹
袁立
李海明
陈靖
《中国血液净化》
2014
17
下载PDF
职称材料
5
TOP/FTAM的扩展实现
丁伟
顾冠群
俞苹
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1994
0
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职称材料
6
国内外电力电子技术发展综述
俞苹
周观允
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992
3
下载PDF
职称材料
7
功率半导体模块
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1992
1
下载PDF
职称材料
8
电力半导体器件的现状及展望
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1991
0
下载PDF
职称材料
9
国外MOS控制晶闸管的研制概况
俞苹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
10
用于变频脱线变流器的1MHz谐振型IC控制器
Harr.,SL
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
11
大功率二极管和晶闸管的抗辐射强度
Passe.,B
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
12
用“加速”电感器提高大电流功率晶体管的开关速度
郭彩霞
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
13
具有n缓冲层和新的阳极短路结构的6000V GTO
Tsuneo
Ogura
俞苹
《国外电力电子技术》
1992
0
下载PDF
职称材料
14
电机变频驱动中IGBT的功率MOSFET的比较
Dubh.,AU
俞苹
《国外电力电子技术》
1991
0
下载PDF
职称材料
15
MCI/FET复合开关—小硅片具有高性能
Ripp.,WE
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
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职称材料
16
用于大容量晶闸管冷却的双相温差环流系统
Bordi.,P
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
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职称材料
17
MOS门发射极开关晶闸管
Bali.,BJ
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
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职称材料
18
改进MCT性能的最佳阴极结构
Bauer,F
俞苹
《国外电力电子技术》
1992
0
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职称材料
19
MOS控制晶闸管的设计,工艺,模拟和实验结果
Bauer,F
俞苹
《国外电力电子技术》
1992
0
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职称材料
20
大面积大功率半导体器件硅片与散热板结合技术的改进
Crees,DE
俞苹
《国外电力电子技术》
1992
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职称材料
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