GaN基高电子迁移率晶体管器件的可靠性及退化机制研究进展

GaN基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件在航天、通讯、雷达、电动汽车等领域具有广泛的应用,近年来成为电力电子器件的研究热点。在实际应用中,GaN基HEMT器件随着使用时间的延长会发生退化甚至失效的情况,器件的可靠性问题仍是进一步提高HEMT器件应用的绊脚石。因此,研究器件的可靠性及退化机制对于进一步优化器件性能具有极其重要的意义。将从影响器件可靠性的几个关键因素如高电场应力、高温存储、高温电场和重离子辐照等进行阐述,主要对近几年文献里报道的几种失效机制及相应的失效现象进行了综述和总结,最后讨论了进一步优化器件可靠性的措施,对进一步提高HEMT器件的应用起促进作用。

氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展

氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点,越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而,在实际应用中,在高温高压等极端情况下,GaN HEMTs会出现退化甚至失效,这使得失效后器件的物理分析对于提高可靠性和进一步的器件优化至关重要。本文介绍了分析器件失效机制的分析方法,对失效后物理表征技术工作原理、表征范围及研究进展方面进行了简要综述,为进一步提高器件可靠性和器件的进一步优化提供了参考。

关于“材料物理”全英文示范课建设的探索

材料物理作为材料学科与物理学科的交叉专业课，具有核心的作用，为了培养多元化人才，全英文示范课的建设非常重要。文章在教学实践的基础上，探讨了“材料物理”全英文示范课的建设，着重指出了课本的选择、教学内容的选择、教学方式的选择以及理论与实践相结合等课程建设的重要方面，以期对“材料物理”全英文示范课的建设提供见解。

基于工程教育理念的材料计算与模拟实践教学探索

工程教育理念下的本科工科专业教学要求侧重于培养学生解决实际工程问题的能力。“材料计算与模拟”是一门专业性很强、理论与实践并重、偏向于理科的材料类专业课程,文章谨以多年“材料计算与模拟”课程教学经验为基础,探讨符合工程教育理念的理论与实践相结合的教学方式和方法。

用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分

对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进,在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法,并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中,建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法,提高了测定晶格参数的精确度.采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分.