ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制

详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。