采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计

文章详细描述了一种采用0.18μmCMOS工艺的多端口单位线SRAM设计方法。与传统的6TSRAM结构相比,在写数据时增加了写节点充电信号,降低了内核CMOS器件设计的复杂度;在读数据时增加了额外的读位线放电电路,减少了读数据延迟;同时读写数据均采用电流模式,降低功耗,较好的解决了多端口SRAM存取数据时存在的问题。

18×18并行流水乘法器芯片设计

本文详细介绍了１８×１８ＭｏｄｉｆｉｅｄＢｏｏｔｈ算法和华士树乘法器的全定制芯片设计。芯片的工艺采用１．２μｍ，整个算法仿真和版图设计工作是在ＭｅｎｔｏｒＧｒａｐｈｉｃｓ公司的ＧＤＴ上完成的。芯片加工完成后，一个样片通过所有测试，实测工作频率为３６兆赫。

声纳发射机试验中的长线馈电问题

介绍了一种数字式声纳发射机在水池实验中遇到的馈电问题现象,分析了电源电压通过长电缆大幅下降的可能原因,给出了可行的解决方法。