低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响

在微波输能窗次级电子倍增效应的模拟研究中,往往忽视低能电子的作用。基于Monte Carlo算法,模拟输能窗次级电子倍增规律,研究了经典的Vaughan模型、Vincent模型和Rice模型三种二次电子发射模型下次级电子倍增效应的差异,通过拟合倍增敏感曲线,获得了低能电子对切向和法向电场作用下输能窗次级电子倍增效应的影响。模拟结果表明,当切向电场作用时,三个发射模型得到的敏感曲线几乎重合,低能电子对敏感曲线的影响甚微,其中Rice模型的敏感区域最大。当法向电场作用时,由Vincent模型拟合得到的敏感区域远大于其他两个模型。

低能电子对单面介质加载微波部件微放电的影响

在微波设备微放电效应的研究中,低能电子的作用通常被忽略。本文重点研究了低能电子对单面介质加载微波部件微放电的影响,基于蒙特卡洛算法,建立了单面介质加载微波部件的微放电的模型,模拟了单面介质加载微波部件微放电的规律,利用数值的方法对波导中静电场进行求解并对电子的轨迹进行跟踪。通过对比经典的Vaughan二次电子发射模型(考虑低能电子)和Rice模型(没有考虑低能电子)的模拟结果,获得了低能电子对单面介质加载微波部件微放电的影响。