IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究

薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究。本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行深入探讨。

硅片工艺缺陷复检和自动分类系统

随着半导体技术的不断发展 ,在硅芯片制造过程中应用行之有效的缺陷检测、分类和管理技术 ,以提高成品率、降低生产成本将变得越来越重要 ,其中最为关键的任务即是能够尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因。配以LEICAADCNT系统的LEICAINS30 0 0缺陷复检和自动分类系统能根据建立的数据库对硅片上的缺陷进行自动复检、分类和统计。帮助工程师们从缺陷类别的角度来实施缺陷管理 ,加速了诊断工艺问题的进程 ,从而达到提升成品率、降低成本的目的。

深亚微米集成电路工艺的合格率问题

前言 90年代以来,集成电路遵循着摩尔(Moore)定律高速发展,0.18μm工艺已日趋成熟,0.13μm 12″硅片等更先进技术也将很快进入大生产应用。日益增加的生产设备投资,日益缩短的技术换代周期,使得半导体产业在高资本投入和高人力投入同时也带来了高风险。人们将更多地关注集成电路生产中的合格率问题。

IC智能卡失效机理研究

IC智能卡使用过程中出现的密码校验失效、数据丢失、应用区不能读写等一系列失效和可靠性问题,严重影响了其在社会生活各领域的广泛应用.分析研究了IC智能卡芯片碎裂、引线键合断裂、静电放电损伤等失效模式和失效机理,并结合IC卡制造工艺和失效IC卡的分析实例,对引起这些失效的根本原因作了深入探讨,就提升制造成品率、改善可靠性提出应对措施.

深亚微米Flash NVMIC单元结构的电子显微分析

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,器件结构越来越复杂,应用电子显微分析技术对IC的特定部位进行高空间分辨率的微结构分析,已成为IC新产品、新结构设计,新工艺开发和芯片生产质量保证的重要手段.结合深亚微米IC结构电子显微分析所涉及的FIB定位制样和TEM高分辨成像等关键技术的讨论,分析了一种新型的分立栅结构的深亚微米非挥发性闪烁存储器集成电路芯片(FlashNVMIC)的微结构特征,并从结构角度比较了其与堆叠栅结构FlashIC的性能.