RF-PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能研究

以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析。结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-SiC:H薄膜的光学带隙反而略有减小。